[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110269318.6
• 申請(qǐng)日: 2011-09-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102403330A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈建賦;陳昭興;柯淙凱;洪詳竣;許生杰;郭得山;王心盈;姚久琳;黃建富;劉欣茂;鐘健凱
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/15
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/15;H01L33/62
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，尤其是涉及一種發(fā)光結(jié)構(gòu)具有至少兩個(gè)發(fā)光單元及用以連接此些發(fā)光單元的電性連接。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管陣列電性串聯(lián)或并聯(lián)數(shù)個(gè)發(fā)光二極管。二極管間通過(guò)溝槽或槽孔達(dá)成電性分離。為了連接彼此分離的二極管可以使用金屬線或薄膜跨越二極管間的溝槽。然而，由于溝槽的高深寬比(aspect?ratio)使得金屬線或薄膜在制造過(guò)程中易于損壞。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的一實(shí)施例揭露一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，其至少包含一第一單元、一第二單元、一溝槽介于第一單元及第二單元之間，并具有一第一側(cè)壁及一較該第一側(cè)壁陡峭的第二側(cè)壁；及一電性連接設(shè)置于第一側(cè)壁之上。

本發(fā)明的另一實(shí)施例揭露一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，其至少包含一第一單元、一第二單元、一溝槽介于第一單元及第二單元之間、及一電性連接。此電性連接具有一連接部及一橋接部。橋接部設(shè)置于溝槽上并較連接部寬。

本發(fā)明的又一實(shí)施例揭露一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，其至少包含一第一單元、一第二單元、一溝槽介于第一單元及第二單元之間、一絕緣層設(shè)置于溝槽之上并暴露出溝槽附近的部分第一單元、及一電性連接接觸此溝槽附近的部分第一單元與第二單元。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的剖視圖，繪示兩個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的連接；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的上視圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例的溝槽填充示意圖；

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例的一位于溝槽上的電性連接的上視圖；

圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例的電性連接的上視圖，此電性連接位于一介于兩個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元間的溝槽上方；

圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的剖視圖，其繪示發(fā)光結(jié)構(gòu)單元間的連接；

圖7為本發(fā)明一實(shí)施例的數(shù)個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的剖視圖；

圖8A～圖8F為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的制造示意圖；及

圖9為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的剖視圖。

主要元件符號(hào)說(shuō)明

1??????發(fā)光結(jié)構(gòu)單元??????22b????上方電性連接

2??????發(fā)光結(jié)構(gòu)單元??????23?????溝槽

3??????發(fā)光結(jié)構(gòu)單元??????24?????發(fā)光結(jié)構(gòu)單元

4??????發(fā)光結(jié)構(gòu)單元??????25?????發(fā)光結(jié)構(gòu)單元

10A????左發(fā)光結(jié)構(gòu)單元????25a????橋接部

10B????右發(fā)光結(jié)構(gòu)單元????25b????連接部

11A????下方層????????????26?????發(fā)光結(jié)構(gòu)單元

11B????下方層????????????27?????下方層

12A????上方層????????????28?????上方層

12B????上方層????????????29?????平臺(tái)區(qū)域

13A????發(fā)光接面??????????30?????共同基板

13B????發(fā)光接面??????????31?????發(fā)光區(qū)

14A????電流分散層????????41?????基板

14B????電流分散層????????42?????第一半導(dǎo)體層

15?????溝槽??????????????43?????活性層

16?????第一絕緣層????????44?????第二半導(dǎo)體層

17?????第二絕緣層????????45?????凹部

18?????電性連接??????????46?????溝槽

19?????保護(hù)層????????????47?????絕緣層

20?????電流網(wǎng)絡(luò)??????????48?????導(dǎo)電結(jié)構(gòu)

21?????絕緣層????????????49a????第一電極

22a????下方電性連接??????49b????第二電極

具體實(shí)施方式

圖1顯示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的剖視圖，繪示兩個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)單元的連接。左發(fā)光結(jié)構(gòu)單元10A及右發(fā)光結(jié)構(gòu)單元10B分別包含一下方層(11A、11B)、一上方層(12A、12B)、一位于下方層(11A、11B)及上方層(12A、12B)間的發(fā)光接面(13A、13B)、及一電流分散層(14A、14B)。上述各層利用外延生長(zhǎng)或接合技術(shù)依序形成于一基板(未顯示)上，其中結(jié)合技術(shù)是如金屬接合、擴(kuò)散接合、膠體結(jié)合等。