[發明專利]發光結構有效
| 申請號: | 201110269318.6 | 申請日: | 2011-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN102403330A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發明(設計)人: | 沈建賦;陳昭興;柯淙凱;洪詳竣;許生杰;郭得山;王心盈;姚久琳;黃建富;劉欣茂;鐘健凱 | 申請(專利權)人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 結構 | ||
1.一種發光結構,至少包含:
第一單元;
第二單元;
溝槽,介于該第一單元及該第二單元之間,并具有第一側壁及較該第一側壁陡峭的第二側壁;及
電性連接,設置于該第一側壁之上。
2.如權利要求1的發光結構,還包含電流網絡,連接至該電性連接。
3.如權利要求1的發光結構,還包含第三單元及第四單元,該第三單元及第四單元被該溝槽分開。
4.如權利要求1的發光結構,還包含第三單元,該第二側壁設置于該第三單元之上。
5.如權利要求1的發光結構,其中該電性連接不位于該第二側壁之上。
6.如權利要求1的發光結構,其中該第一側壁短于該第二側壁。
7.如權利要求1的發光結構,其中該第一單元及該第二單元串聯或并聯。
8.如權利要求1的發光結構,其中該溝槽具有一倒梯形或一近似倒梯形的截面。
9.如權利要求1的發光結構,其中該第一側壁設置于該溝槽的全長度或部分長度之上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





