[發明專利]一種制備高臨界電流密度釓鋇銅氧超導薄膜的方法

無效

• 申請號: 201110269273.2
• 申請日: 2011-09-13
• 公開（公告）號: CN102442822A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 王文濤;趙勇;楊新福;蒲明華;張勇
• 申請（專利權）人: 西南交通大學
• 主分類號: C04B35/45
• 分類號: C04B35/45;C04B35/622
• 代理公司: 成都博通專利事務所 51208
• 代理人: 陳樹明

1.一種制備高臨界電流密度釓鋇銅氧超導薄膜的方法，其具體作法是：

a、無氟前驅溶液制備：將乙酸釓、乙酸鋇、乙酸銅及乙酸鋅，按釓∶鋇∶銅∶鋅的化學計量比1∶2∶3-X∶X，0.0002≤X≤0.006的比例溶解于丙酸中，得前驅溶液；

b、無氟涂層膠體制備：在a步制備的前驅溶液中，加入高分子材料聚乙烯醇縮丁醛(PVB)或聚乙二醇(PEG)，加入的高分子材料與前驅溶液的質量比為2-8∶100，充分攪拌，得涂層膠體；

c、涂敷及干燥：將b步制備的涂層膠體涂敷于基片上，在基片上形成薄膜，在100-200℃溫度范圍內進行干燥，時間5-20分鐘；

d、熱分解處理與成相熱處理：將c步制得的帶薄膜基片進行熱分解處理后再進行成相熱處理，即得。

2.如權利要求1所述的一種制備高臨界電流密度釓鋇銅氧超導薄膜的方法，其特征在于：所述d步中的熱分解處理的具體作法為：將c步干燥后的帶薄膜基片置于管式爐中，在氬氣氣氛保護下，以1-5℃/min從室溫升至100-150℃；然后向爐中通入露點為10-20℃的水蒸汽，同時通入氬氣，以0.25-1.5℃/min的速度升溫至450-500℃，保溫0.5-2小時；隨后再在干燥的中氬氣氣氛，自然冷卻至室溫。

3.如權利要求1所述的一種制備高臨界電流密度釓鋇銅氧超導薄膜的方法，其特征在于：所述d步中的成相熱處理的具體作法為：將熱分解處理后的基片，置于管式爐中通入干燥的氬氣，將爐溫以15-40℃/min升溫至810-900℃，保溫5-15分鐘；再以1-15℃/min降溫至760-800℃，保溫1-3小時；然后在干燥的氬氣保護氣氛中，降溫至350-500℃；再將爐中氣氛轉變為干燥的氧氣，保溫1-5小時后，自然冷卻至室溫。

4.如權利要求1所述的一種制備高臨界電流密度釓鋇銅氧超導薄膜的方法，其特征在于：所述上述的a步中的X的取值范圍為：0.0003≤X≤0.005。