[發明專利]發光二極管封裝結構

有效

• 申請號: 201110269169.3
• 申請日: 2011-09-13
• 公開（公告）號: CN103000782A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 羅杏芬
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L25/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管封裝結構，包括基板、電極、第一發光二極管芯片、第二發光二極管芯片，其特征在于，所述發光二極管封裝結構還包括一個形成于所述基板表面的擋墻結構，該擋墻結構將基板表面分為分割為第一區域和第二區域兩個部分，所述電極形成于所述基板表面，所述電極包括第一電極、第二電極、第三電極和第四電極，所述第一發光二極管芯片、第一電極和第三電極的第一連接部位于擋墻結構的第一區域，所述第一發光二極管芯片通過金屬導線連接第一電極和第三電極上的第一連接部；第二發光二極管芯片、第二電極和第四電極的第二連接部位于擋墻結構的第二區域，所述第二發光二極管芯片通過金屬導線連接第二電極和第四電極上的第二連接部。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述第三電極和第四電極之間電連接，將所述第一電極和第二電極分別作為輸入和輸出電極，從而使得所述第一發光二極管芯片和第二發光二極管芯片之間形成串聯連接。

3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述第三電極和第四電極之間電連接，將所述第一電極和第二電極作為輸入電極，將所述第三電極和第四電極作為公共輸出電極，使得所述第一發光二極管芯片和第二發光二極管芯片之間形成并聯連接。

4.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述第一電極和第二電極分別位于所述基板相對較長方向的兩端，所述第三電極和第四電極位于所述第一電極和第二電極之間。

5.如權利要求4所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述基板包括上表面以及與所述上表面相對的下表面，所述第一電極、第二電極、第三電極及第四電極分別自所述基板的上表面延伸至所述下表面。

6.如權利要求5所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述基板的上表面還形成有反射杯，所述反射杯環繞所述第一發光二極管芯片、第二發光二極管芯片和擋墻結構，所述擋墻結構的兩端分別與該反射杯相連接，所述反射杯的內表面為反射面。

7.如權利要求6所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述擋墻結構朝向第一發光二極管芯片和第二發光二極管芯片的表面為反射面，所述第一發光二極管芯片和第二發光二極管芯片發出的部分光線經過所述反射杯和所述擋墻結構反射出所述發光二極管封裝結構。

8.如權利要求1至7項任一項所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述發光二極管封裝結構還包括至少一個穩壓裝置，該穩壓裝置與所述第一發光二極管芯片或者第二發光二極管反向并聯。

9.如權利要求8所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述穩壓裝置為穩壓二極管且數量為二，所述穩壓裝置以覆晶的方式分別設于所述第一電極和第三電極及所述第二電極和第四電極之間。

10.如權利要求8所述的發光二極管封裝結構，其特征在于：所述穩壓裝置由磊晶摻雜、擴散摻雜或者離子布植的方式形成，該穩壓裝置分別位于所述第一電極和第三電極及所述第二電極和第四電極之間。