[發明專利]一種太陽能級多晶硅脫金屬雜質的方法無效
| 申請號： | 201110268620.X | 申請日： | 2011-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN102424388A | 公開（公告）日： | 2012-04-25 |
| 發明（設計）人： | 孔繁敏;安利明;孫湘航;王新元;司繼良;徐民 | 申請（專利權）人： | 山西納克太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101 | 代理人： | 盧茂春 |
| 地址： | 030032 山西省*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽 能級 多晶 金屬 雜質 方法 | ||
【權利要求書】：
1.?一種太陽能級多晶硅脫金屬雜質的方法，其特征包括以下工藝步驟：
（1）選擇原材料為粒徑是5～100mm的金屬硅，金屬硅的純度為99％以上，其中金屬雜質含量為700ppm；
（2）開啟高真空感應爐的真空系統，依次開啟前級機械泵及高性能擴散泵使爐室內達到1.2×10－3～2.4×10－3Pa的高真空狀態；
（3）將占石墨坩堝容量1/10的金屬硅裝入位于高真空感應爐內的石墨坩堝中，開啟高頻感應電源將金屬硅熔化，所述的高頻感應電源功率最好為200～240KW；
（4）待此硅料熔化后使硅液溫度保持在1560～1600℃，開啟硅料連續送料裝置，投入剩余的金屬硅至爐內的石墨坩堝中進行熔化成為硅熔體；
（5）當硅熔體達到坩堝容積的3/4容積時，啟動定向拉棒裝置，通過定向拉制脫除硅中的金屬雜質，成為硅棒；
（6）將硅棒的尾部雜質聚集的部分切除，得到脫金屬雜質提純后的多晶硅。
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