[發(fā)明專利]有基島預(yù)填塑封料先鍍后刻引線框結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110268360.6
• 申請(qǐng)日: 2011-09-13
• 公開（公告）號(hào): CN102324414A
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁志忠;謝潔人;吳昊;耿叢正;夏文斌;郁科峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L21/60
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種引線框結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)方法，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的引線框結(jié)構(gòu)主要有兩種：

一種是四面扁平無引腳封裝（QFN）引線框，這種結(jié)構(gòu)的引線框?yàn)榱朔乐挂€框正面包封作業(yè)時(shí)，引線框的背面會(huì)產(chǎn)生塑封料的溢料，故在引線框背面貼附有一層昂貴的高溫膠膜（如圖14所示），這種引線框結(jié)構(gòu)存在以下缺點(diǎn)：

1、金屬引線框的底部貼附了一層抗高溫膠膜，增加了至少50%的引線框成本；

2、金屬引線框底部貼附的膠膜是軟性有機(jī)物質(zhì)，所以在后續(xù)的封裝過程的裝片與金屬絲鍵合作業(yè)中，會(huì)因?yàn)楦邷睾婵井a(chǎn)生了有機(jī)物的揮發(fā)性污染，會(huì)直接污染到芯片正面與引線框正面與金屬絲鍵合的結(jié)合性，甚至?xí)绊懙叫酒媾c引線框正面后續(xù)封裝過程中導(dǎo)致與塑封料的結(jié)合能力失敗（俗稱分層）；

3、因?yàn)橐€框底部貼附了軟性有機(jī)膠膜，所以在后續(xù)的封裝過程中的金屬絲鍵合作業(yè)中，其部分鍵合的力量被軟性的有機(jī)膠膜給吸收，增加了金屬絲鍵合的難度，造成金屬絲鍵合良率的不穩(wěn)定，可能產(chǎn)生可靠性問題；

4、因?yàn)橐€框底部貼附了軟性有機(jī)膠膜，致使鍵合作業(yè)時(shí)金屬絲材料也被受限在較為軟性且昂貴的金絲，而不能使用硬質(zhì)且成本低廉的銅質(zhì)、鋁質(zhì)或其他低成本的金屬絲或金屬帶；

5、因?yàn)橐€框底部貼附了軟性有機(jī)膠膜，所以在后續(xù)的包封作業(yè)時(shí)，會(huì)因?yàn)槟z膜與金屬引線框發(fā)生分離而造成在高壓塑封過程中，塑封料滲入管腳或基島與軟性有機(jī)膠膜的中間（如圖15、圖16所示）。

另一種雙面蝕刻預(yù)包封引線框（如圖17所示）的設(shè)計(jì)與制造是采用金屬基板先進(jìn)行背面蝕刻后，再進(jìn)行背面塑封料的預(yù)包封，然后再進(jìn)行引線框正面引腳的蝕刻與表面電鍍。這種引線框結(jié)構(gòu)存在以下缺點(diǎn)：

1、引線框的制作程序太過復(fù)雜，造成引線框成本增加；

2、引線框的蝕刻分成上下面各蝕刻一次，容易因?yàn)樯舷挛g刻位置的重復(fù)定位誤差，造成錯(cuò)位。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種有基島預(yù)填塑封料先鍍后刻引線框結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)方法，它省去了背面的耐高溫膠膜，解決了因軟性膠膜所帶來的缺點(diǎn)，并同時(shí)的降低了封裝材料、制程與生產(chǎn)效率等的成本，相對(duì)的提高了封裝過程的可靠性，而且生產(chǎn)工藝步驟簡單、成本低。

本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種有基島預(yù)填塑封料先鍍后刻引線框結(jié)構(gòu)，它包括基島和引腳，所述基島和引腳正面鍍有第一金屬層，基島和引腳背面鍍有第二金屬層，所述基島與引腳之間以及引腳與引腳之間的蝕刻區(qū)域均填充有塑封料，所述塑封料與第一金屬層和第二金屬層齊平。

本發(fā)明有基島預(yù)填塑封料先鍍后刻引線框的生產(chǎn)方法，所述方法包括以下工藝步驟：

步驟一、取金屬基板

步驟二、貼膜作業(yè)

利用貼膜設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光刻膠膜，

步驟三、金屬基板正面及背面去除部分光刻膠膜

利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成貼膜作業(yè)的金屬基板正面及背面進(jìn)行曝光、顯影與去除部分光刻膠膜，以露出金屬基板上后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的區(qū)域，

步驟四、鍍金屬層

在步驟三中金屬基板正面去除部分光刻膠膜的區(qū)域鍍上第一金屬層，在步驟三中金屬基板背面去除部分光刻膠膜的區(qū)域鍍上第二金屬層，

步驟五、金屬基板正面及背面揭膜作業(yè)

將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜揭除，

步驟六、貼膜作業(yè)

利用貼膜設(shè)備在步驟五揭除光刻膠膜后的金屬基板正面及背面再次分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光刻膠膜，

步驟七、金屬基板正面及背面去除部分光刻膠膜

利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成貼膜作業(yè)的金屬基板正面及背面進(jìn)行曝光、顯影與去除部分光刻膠膜，以露出金屬基板上后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域，

步驟八、金屬基板正面及背面進(jìn)行全蝕刻或半蝕刻

對(duì)步驟七中金屬基板正面及背面去除部分光刻膠膜的區(qū)域同時(shí)進(jìn)行全蝕刻或半蝕刻，在金屬基板正面及背面形成凹陷的蝕刻區(qū)域，同時(shí)相對(duì)形成基島和引腳，

步驟九、金屬基板正面及背面揭膜作業(yè)

將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜揭除，

步驟十、金屬基板蝕刻區(qū)域預(yù)填充塑封料

在步驟八形成的金屬基板的蝕刻區(qū)域內(nèi)，利用包封模具填充塑封料，完成引線框的預(yù)填充，