[發(fā)明專利]基于Abbe矢量成像模型獲取非理想光刻系統(tǒng)空間像的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110268257.1 | 申請日: | 2011-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN102323721A | 公開(公告)日: | 2012-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李艷秋;董立松;馬旭 | 申請(專利權(quán))人: | 北京理工大學(xué) |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京理工大學(xué)專利中心 11120 | 代理人: | 李愛英;楊志兵 |
| 地址: | 100081 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 abbe 矢量 成像 模型 獲取 理想 光刻 系統(tǒng) 空間 方法 | ||
1.一種基于Abbe矢量成像模型的獲取非理想光刻系統(tǒng)空間像的方法,其特征在于,具體步驟為:
步驟101、將掩膜圖形M柵格化為N×N個子區(qū)域;
步驟102、根據(jù)部分相干光源的形狀將光源面柵格化成多個點(diǎn)光源,用每一柵格區(qū)域中心點(diǎn)坐標(biāo)(xs,ys)表示該柵格區(qū)域所對應(yīng)的點(diǎn)光源坐標(biāo);
步驟103、根據(jù)光刻系統(tǒng)的離焦量δ,獲取由所述離焦量δ引起的光刻系統(tǒng)中傳播光線的相位變化量ξ(α′,β′);
步驟104、獲取表示光刻系統(tǒng)光程差的標(biāo)量像差矩陣W(α′,β′)和表示光刻系統(tǒng)偏振像差的偏振像差矩陣J(α′,β′),其中(α′,β′,γ′)是晶片上全局坐標(biāo)系進(jìn)行傅立葉變換后的坐標(biāo)系;
步驟105、針對單個點(diǎn)光源,利用其坐標(biāo)(xs,ys)、入射光相位的變化量ξ(α′,β′)、標(biāo)量像差矩陣W(α′,β′)及偏振像差矩陣J(α′,β′),獲取該點(diǎn)光源照明時,非理想光刻系統(tǒng)中晶片位置上的空間像I(αs,βs);
步驟106、判斷是否已經(jīng)計算出所有單個點(diǎn)光源照明時,非理想光刻系統(tǒng)中晶片位置上的空間像,若是,則進(jìn)入步驟107,否則返回步驟105;
步驟107、根據(jù)Abbe方法,對各點(diǎn)光源對應(yīng)的空間像I(αs,βs)進(jìn)行疊加,獲取部分相干照明時,晶片位置上的空間像I。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于Abbe矢量成像模型的獲取非理想光刻系統(tǒng)空間像的方法,其特征在于,所述步驟105的具體過程為:
設(shè)定全局坐標(biāo)系為:以光軸的方向為z軸,并依據(jù)左手坐標(biāo)系原則以z軸建立全局坐標(biāo)系(x,y,z);
步驟201、根據(jù)點(diǎn)光源坐標(biāo)(xs,ys),計算點(diǎn)光源發(fā)出的光波經(jīng)過掩膜上N×N個子區(qū)域的近場分布E;其中,E為N×N的矢量矩陣,其每個元素均為一3×1的矢量,表示全局坐標(biāo)系中掩膜的衍射近場分布的3個分量;
步驟202、根據(jù)近場分布E獲取光波在投影系統(tǒng)入瞳后方的電場分布其中,為N×N的矢量矩陣,其每個元素均為一3×1的矢量,表示全局坐標(biāo)系中入瞳后方的電場分布的3個分量;
步驟203、設(shè)光波在投影系統(tǒng)中傳播方向近似與光軸平行,進(jìn)一步根據(jù)入瞳后方的電場分布標(biāo)量像差矩陣W(α′,β′)以及偏振像差矩陣J(α′,β′),獲取光波在投影系統(tǒng)出瞳前方的電場分布其中,出瞳前方的電場分布為N×N的矢量矩陣,其每個元素均為一3×1的矢量,表示全局坐標(biāo)系中出瞳前方的電場分布的3個分量;
步驟204、根據(jù)投影系統(tǒng)出瞳前方的電場分布獲取投影系統(tǒng)出瞳后方的電場分布
步驟205、利用沃爾夫Wolf光學(xué)成像理論,根據(jù)出瞳后方的電場分布以及入射光相位的變化量ξ,獲取晶片位置上的電場分布Ewafer,并根據(jù)Ewafer獲取點(diǎn)光源對應(yīng)的晶片位置上的空間像I(αs,βs)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述獲取非理想光刻系統(tǒng)空間像的方法,其特征在于,當(dāng)所述的部分相干光源為圓形時,所述根據(jù)部分相干光源的形狀將光源面柵格化為:以光源面上中心點(diǎn)為圓心,用事先設(shè)定的半徑不同的k個同心圓將圓形光源面區(qū)劃分為k+1個區(qū)域,對所述k+1個區(qū)域從中心圓區(qū)開始由內(nèi)向外進(jìn)行1~k+1編號,將編號為2~k的每個區(qū)域劃分為多個扇形柵格區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述獲取掩膜空間像的方法,其特征在于,所述編號為2~k的每個區(qū)域所劃分的扇形柵格區(qū)域的個數(shù)相同。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京理工大學(xué),未經(jīng)北京理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110268257.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
G03F7-004 .感光材料
G03F7-12 .網(wǎng)屏印刷模或類似印刷模的制作,例如,鏤花模版的制作
G03F7-14 .珂羅版印刷模的制作
G03F7-16 .涂層處理及其設(shè)備
G03F7-20 .曝光及其設(shè)備





