[發(fā)明專利]改善存儲裝置的可靠性、可用性及可維修性有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110266608.5 | 申請日： | 2007-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN102394112A | 公開（公告）日： | 2012-03-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | K·S·貝恩斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | G11C29/42 | 分類號： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改善 存儲 裝置 可靠性 可用性 維修 | ||
1.一種存儲裝置，包括：
存儲核心，它具有：存儲數(shù)據(jù)位的第一部分和存儲對應于所述數(shù)據(jù)位的糾錯碼(ECC)位(存儲的ECC位)的第二部分；和
糾錯邏輯部件，它與所述存儲核心在同一芯片上，所述糾錯邏輯部件包括糾錯碼ECC計算邏輯部件來計算對應于所述數(shù)據(jù)位的糾錯碼ECC位(計算的ECC位)，其中所述糾錯邏輯部件進一步包括用來糾正所述數(shù)據(jù)位中的錯誤的ECC糾錯邏輯部件，用來比較所存儲的糾錯碼ECC位和所計算的糾錯碼ECC位的比較器，用來產(chǎn)生對應于所述數(shù)據(jù)位的循環(huán)冗余碼CRC位的循環(huán)冗余碼(CRC)產(chǎn)生邏輯部件和用來將所述循環(huán)冗余碼CRC位和所述數(shù)據(jù)位發(fā)送給請求器的成幀邏輯部件。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其中，所述存儲核心包括具有對應于第一部分的第一存儲體和對應于第二部分的第二存儲體的分離的存儲體對。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其中：所述存儲裝置包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設備。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其中所述存儲裝置能夠在錯誤檢驗模式和非錯誤檢驗模式中操作。
5.如權(quán)利要求4所述的存儲裝置，其中所述存儲裝置進一步包括：
映射邏輯部件，用來將所存儲的糾錯碼ECC位映射到所述存儲核心的第二部分。
6.一種方法，包括：
從存儲核心的第一部分讀出數(shù)據(jù)位，
從所述存儲核心的第二部分讀出存儲的糾錯碼(ECC)位；
用糾錯碼ECC計算邏輯部件來產(chǎn)生計算的糾錯碼ECC位，其中，所述存儲核心和所述糾錯碼ECC計算邏輯部件位于共用集成電路上；
比較所存儲的糾錯碼ECC位和所計算的糾錯碼ECC位來判定所存儲的糾錯碼ECC位是否與所計算的糾錯碼ECC位匹配；以及
在糾正單一位錯誤后，將循環(huán)冗余碼CRC位和所述數(shù)據(jù)位發(fā)送給請求器。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述存儲核心包括具有對應于第一部分的第一存儲體和對應于第二部分的第二存儲體的分離的存儲體對。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，進一步包括：
如果所存儲的糾錯碼ECC位與所計算的糾錯碼ECC位匹配，則計算對應于所述數(shù)據(jù)位的循環(huán)冗余碼(CRC)位；以及
將所述循環(huán)冗余碼CRC位和所述數(shù)據(jù)位發(fā)送給請求器。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，進一步包括：
如果所存儲的糾錯碼ECC位與所計算的糾錯碼ECC位不匹配，則判定所述數(shù)據(jù)位是否包含單一位錯誤；以及
如果所述數(shù)據(jù)位包含單一位錯誤，則用糾錯碼ECC糾錯邏輯部件來糾正所述單一位錯誤，其中，所述糾錯碼ECC糾錯邏輯部件和所述存儲核心位于共用集成電路上。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，將所述循環(huán)冗余碼CRC位和所述數(shù)據(jù)位發(fā)送到所述請求器包括：
將所述數(shù)據(jù)位形成為讀出數(shù)據(jù)幀；
將所述循環(huán)冗余碼CRC位附加到所述讀出數(shù)據(jù)幀；以及
將所述讀出數(shù)據(jù)幀發(fā)送給所述請求器。
11.如權(quán)利要求6所述的方法，進一步包括：
若所述數(shù)據(jù)位不包含單一位錯誤，則向請求器報告錯誤。
12.一種系統(tǒng)，包括：
動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設備，包括：
包括第一存儲體和第二存儲體的分離的存儲體對，其中，如果所述DRAM設備處于錯誤檢驗模式中，則數(shù)據(jù)位將被存儲在第一存儲體中而對應的糾錯碼(ECC)位(存儲的ECC位)將被存儲在第二存儲體中，以及
與所述分離的存儲體對在同一芯片上的糾錯邏輯部件，所述糾錯邏輯部件包括用來糾正所述數(shù)據(jù)位中的錯誤的糾錯碼ECC糾錯邏輯部件，用來比較所存儲的糾錯碼ECC位和所計算的糾錯碼ECC位的比較器，用來產(chǎn)生對應于所述數(shù)據(jù)位的循環(huán)冗余碼CRC位的循環(huán)冗余碼(CRC)產(chǎn)生邏輯部件，和用來將循環(huán)冗余碼CRC位和所述數(shù)據(jù)位發(fā)送給請求器的成幀邏輯部件；以及
與所述DRAM設備耦合的請求器。
13.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中，所述糾錯邏輯部件進一步包括：
糾錯碼ECC糾錯邏輯部件，用來糾正數(shù)據(jù)位中的錯誤。
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