[發明專利]基于表面體微電極陣列與變形膜結構的細胞電融合芯片裝置

無效

• 申請號: 201110265672.1
• 申請日: 2011-09-08
• 公開（公告）號: CN102304475A
• 公開（公告）日: 2012-01-04
• 發明（設計）人: 胡寧;錢詩智;朱祥佑
• 申請（專利權）人: 嶺南大學校產學協力團
• 主分類號: C12M1/42
• 分類號: C12M1/42
• 代理公司: 重慶華科專利事務所 50123
• 代理人: 康海燕

1.一種基于表面體微電極陣列與變形膜結構的細胞電融合芯片裝置，其特征在于：其由表面體微電極陣列芯片與頂層變形膜結構組成；

所述表面體微電極陣列芯片通過微加工工藝制作，自下而上依次分為石英基底層和多聚物微通道層；

在所述石英基底層上制作有底層梳狀微電極陣列，所述底層梳狀微電極陣列在石英基底層上以梳齒相對的形式對稱布置兩組，兩組間留有通道；

所述多聚物微通道層的中間加工有上下開敞的微通道，微通道位置對應于兩組底層梳狀微電極陣列之間的通道，微通道的右端連通兩個進樣孔，用于不同細胞的獨立進樣，左端連通一個出樣孔，用于融合后細胞的出樣；

在所述多聚物微通道層上制作有與底層梳狀微電極陣列形狀和位置均對應的頂層梳狀微電極陣列，并在多聚物微通道層的微通道的側壁上形成有側壁表面電極，側壁表面電極分別連接底層梳狀微電極陣列和頂層梳狀微電極陣列對應的每一對梳齒，使底層梳狀微電極陣列、側壁表面電極和頂層梳狀微電極陣列電氣聯通；

同一側的所述底層梳狀微電極陣列和頂層梳狀微電極陣列向外延伸形成鍵合點，實現與外界控制電路的電氣連接；

所述變形膜結構由柔性變形膜和氣壓調節裝置組成；

柔性變形膜位于表面體微電極陣列芯片上，覆蓋所述微通道的整個區域；

所述氣壓調節裝置上有進樣孔、出樣孔和進氣孔，進樣孔、出樣孔與多聚物微通道層上的進樣孔和出樣孔一一對應，在氣壓調節裝置內還設有下方開敞的氣腔，氣腔與進氣孔連通，氣壓調節裝置覆蓋在柔性變形膜上，氣腔由柔性變形膜封閉，其位置正對微通道區域，面積大于微通道區域面積；

所述柔性變形膜通過氣壓調節裝置的施加的氣壓可產生變形，向下凸進微通道中，形成隔壁，將微通道上半部分分隔開，形成左右兩條微通道，實現不同類細胞的獨立進樣與不同細胞間的配對。

2.根據權利要求1所述的基于表面體微電極陣列與變形膜結構的細胞電融合芯片裝置，其特征在于：所述底層梳狀微電極陣列、側壁表面電極和頂層梳狀微電極陣列厚度為0.1~0.5μm。

3.根據權利要求1所述的基于表面體微電極陣列與變形膜結構的細胞電融合芯片裝置，其特征在于：所述多聚物微通道層的厚度為20~30μm，微通道的寬度為40~60μm，進樣孔和出樣孔孔徑為2mm。

4.根據權利要求1所述的基于表面體微電極陣列與變形膜結構的細胞電融合芯片裝置，其特征在于：所述柔性變形膜的厚度為10-20μm，材料選用PDMS多聚物材料。

5.根據權利要求1所述的基于表面體微電極陣列與變形膜結構的細胞電融合芯片裝置，其特征在于：所述氣壓調節裝置的氣腔的深度為1mm，進氣孔直徑為2mm。