[發明專利]一種新型晶邊檢測儀穩定性的監控方法有效
| 申請號: | 201110265326.3 | 申請日: | 2011-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN102435616A | 公開(公告)日: | 2012-05-02 |
| 發明(設計)人: | 朱陸君;陳宏璘;倪棋梁;龍吟;郭明升;王凱 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G01N21/93 | 分類號: | G01N21/93 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 邊檢 穩定性 監控 方法 | ||
技術領域
本發明涉及對半導體檢測工具的穩定性進行測試的方法,具體而言,涉及一種新型晶邊檢測儀穩定性的監控方法。
背景技術
隨著集成電路工藝的發展和晶圓硅片材料尺寸的不斷變大,工廠對晶圓邊緣的缺陷情況越來越注重。利用CV300R檢測機臺對晶圓邊緣進行缺陷檢測是一種快速有效的工藝步驟品質監控方法。因此,保證檢測機臺自身穩定性和精確性顯得至關重要。
目前CV300R采用的自身檢測方法是通過使用與機臺匹配的標準片,該標準片的正面、側面和背面均包含一定數目的顆粒,并且在晶圓表面是無法移動的。機臺通過日常檢測獲得三個面1um大小的顆粒總數目,將測量得到的1um?大小的顆粒數值比上1um?大小的顆粒基準數目,其比值結果在(90%,110%)之間時表示機臺符合運行標準,機臺可以正常使用。
但是,業內CV300R采用的自身檢測方法過于簡單,無法實際反映機臺自身的穩定性和精確性。具體而言,存在如下兩個問題:
第一,在這種檢測方法下,當機臺穩定性有問題造成某個面的顆粒數目被遺漏了一些或者是有增加一些未知缺陷,其單面比值在(90%,110%)之外,但是三個面的比值仍舊在默認范圍之內,那么機臺問題依舊無法體現出來;
第二,該檢測方法無法真實反映出機臺對不同尺寸和類型缺陷的檢測能力。
因此,提供一種能夠有效并且準確地檢測晶邊檢測儀穩定性的方法就顯得尤為重要了。
發明內容
本發明的目的是避免現有技術中機臺自檢無法完全真實反映機臺性能的缺陷。
本發明公開一種新型晶邊檢測儀穩定性的監控方法,用于確定所述晶片檢測儀是否能夠正常工作,其中,包括如下步驟:
提供一成品晶片作為基準片,所述基準片的正面、背面及其圓周側面上均有多個不同尺寸、類型的缺陷;
分別制作多張所述基準片的正面、背面及其圓周側面的缺陷掃描圖;
分別制作正面原始圖、背面原始圖以及圓周側面原始圖,所述正面原始圖上包括部分所述基準片正面陷掃描圖上的缺陷,所述背面原始圖上包括部分所述基準片背面陷掃描圖上的缺陷,所述圓周側面原始圖上包括部分所述基準片圓周側面陷掃描圖上的缺陷;
進行日常檢測,將日常掃描圖與原始圖疊圖,將具有相同坐標的缺陷匯總求和,將增加的缺陷匯總求和;
分別對晶片的正面、背面及其圓周側面進行的捕獲率和失敗率計算,若捕獲率在90%~110%之間且失敗率不大于10%,則儀器合格結束監控;
若捕獲率低于90%且失敗率大于10%,則停機檢查。
上述的方法,其中,所述分別制作多張所述基準片的正面、背面及其圓周側面的缺陷掃描圖的步驟中,還包括如下步驟:
分別掃描所述基準片的正面、背面及其圓周側面若干次;
每掃描一次所述基準片的正面形成一張相應的正面缺陷掃描圖;
每掃描一次所述基準片的背面形成一張相應的背面缺陷掃描圖;
每掃描一次所述基準片的圓周側面形成一張相應的圓周側面缺陷掃描圖。
上述的方法,其中,
所述正面原始圖上具有多個第一缺陷,所述第一缺陷出現在多張正面缺陷掃描圖的同一坐標位置的次數超過第一閾值;
所述背面原始圖上具有多個第二缺陷,所述第二缺陷出現在多張背面缺陷掃描圖的同一坐標位置的次數超過第二閾值;
所述背面原始圖上具有多個第三缺陷,所述第三缺陷出現在多張背面缺陷掃描圖的同一坐標位置的次數超過第三閾值。
上述的方法,其中,分別制作10張所述基準片的正面、背面及其圓周側面的缺陷掃描圖。
上述的方法,其中,所述第一閾值、第二閾值和第三閾值均為8。
上述的方法,其中,所述基準片的正面、背面和圓周側面上均具有的缺陷的個數取值范圍均在20顆至2000顆之間。
上述的方法,其中,所述基準片上缺陷的尺寸值范圍為0.5um至5um。
本發明原理是選取一片合適的成品晶片,該片具有一定數目的不同類型和尺寸的缺陷固定在表面,并且該片不再做其它工藝流程,作為以后該機臺檢測的新基準片。在日常檢測時將三個面的掃描圖分別與成品晶片轉換成的基準片原始圖進行疊圖,將疊到的具有相同坐標位置的缺陷的數目作為計算捕獲率的值,將沒疊到的缺陷的數目作為計算失敗率的值。
通過三個面的捕獲率和失敗率這六個值可以更加直觀的檢測到機臺在不同位面缺陷收集信號的能力以及機臺的穩定性和精確性。
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附圖說明
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