[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110265211.4
• 申請日: 2011-09-08
• 公開（公告）號: CN103000664A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種半導體器件，包括：

半導體層；

對所述半導體層構圖形成的鰭片；以及

跨于所述鰭片上的柵堆疊，

其中，所述鰭片在底部包括摻雜的阻擋區。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，對于p型器件，所述阻擋區包括n型摻雜劑；對于n型器件，所述阻擋區包括p型摻雜劑。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

隔離層，位于所述半導體層上鰭片兩側，

其中，所述阻擋區的頂面高于所述隔離層的頂面。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述半導體層包括第一區域和第二區域，

所述鰭片包括位于第一區域的第一鰭片和位于第二區域的第二鰭片，其中第一鰭片的高度不同于第二鰭片的高度。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述半導體層包括多個半導體子層，其中相鄰半導體子層的材料不同從而可以相對于彼此具有刻蝕選擇性，以及

所述第一鰭片和第二鰭片分別由不同數目的子層形成。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述半導體層包括鰭片主體材料子層以及刻蝕停止子層的交替堆疊，所述鰭片主材料子層的厚度大于所述刻蝕停止子層的厚度。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述鰭片主體材料子層包括Si，所述刻蝕停止子層包括SiGe。

8.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供半導體層；

對所述半導體層進行構圖以形成鰭片；

在所述鰭片的底部形成摻雜的阻擋區；以及

橫跨所述鰭片形成柵堆疊。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，對于p型器件，所述阻擋區包括n型摻雜劑；對于n型器件，所述阻擋區包括p型摻雜劑。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，在所述鰭片的底部形成摻雜的阻擋區的步驟包括：

在所述鰭片的兩側，向所述半導體層中注入摻雜劑；以及

進行退火，激活注入的摻雜劑，使得摻雜劑擴散到所述鰭片的底部。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，在所述鰭片的底部形成摻雜的阻擋區之后，該方法還包括：

在所述半導體層上所述鰭片的兩側設置隔離層，

其中，所述阻擋區的頂面高于所述隔離層的頂面。

12.根據權利要求8所述的方法，其中，對所述半導體層進行構圖以形成鰭片的步驟包括：

在所述半導體層的第一區域中，對所述半導體層進行構圖，形成第一鰭片；以及

在所述半導體層的第二區域中，對所述半導體層進行構圖，形成第二鰭片，

其中，第一鰭片的高度不同于第二鰭片的高度。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，

提供半導體層的步驟包括：提供具有多個半導體子層的半導體層，其中相鄰半導體子層的材料不同從而可以相對于彼此進行選擇性刻蝕；

在第一區域對半導體層進行構圖的步驟包括：通過構圖，利用第一數目的半導體子層形成第一鰭片；以及

在第二區域對半導體層進行構圖的步驟包括：通過構圖，利用不同于第一數目的第二數目的半導體子層形成第二鰭片。

14.根據權利要求13述的方法，其中，所述半導體層包括鰭片主體材料子層以及刻蝕停止子層的交替堆疊，所述鰭片主材料子層的厚度大于所述刻蝕停止子層的厚度。

15.根據權利要求14述的方法，其中，所述鰭片主體材料子層包括Si，所述刻蝕停止子層包括SiGe子層。