[發明專利]中子嬗變摻雜實現選擇性發射極晶體硅太陽能電池的制作方法

無效

• 申請號: 201110265177.0
• 申請日: 2011-09-08
• 公開（公告）號: CN102315104A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 張衡
• 申請（專利權）人: 浙江向日葵光能科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/261
• 分類號: H01L21/261;H01L31/18
• 代理公司: 紹興市越興專利事務所 33220
• 代理人: 張謙

1.一種中子嬗變摻雜實現選擇性發射極晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于包括以下工藝步驟：

⑴?制絨；

⑵?輕擴散；

⑶?掩膜，中子嬗變摻雜，退火，實現電極印刷區重摻雜；

⑷?去邊緣結，去磷硅玻璃；

⑸?鍍SiNx膜；

⑹?絲網印刷，燒結。

2.如權利要求1所述的中子嬗變摻雜實現選擇性發射極晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟⑵具體包括，將制絨后的硅片放入擴散爐，升高溫度至800~900℃，通入磷源，經過40~60分鐘擴散在硅片表面生成90~120?ohm/sq的輕擴散區。

3.如權利要求1所述的中子嬗變摻雜實現選擇性發射極晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟⑶具體包括，將輕擴散后的硅片放入中子輻照室，非電極印刷區通過掩模遮擋，沒有中子透過；電極印刷區暴露在中子輻照區，經過10¹⁸~10²⁰?neutrons/cm²劑量的中子輻照，將表面的³⁰Si原子，嬗變為³¹P原子，再經過400~600℃退火2~3小時，實現電極印刷區10~30?ohm/sq的重摻雜。

4.如權利要求3所述的中子嬗變摻雜實現選擇性發射極晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述電極印刷區暴露在中子輻照區，中子輻照劑量為5×10¹⁹?neutrons/cm²。

5.一種中子嬗變摻雜實現選擇性發射極晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于包括以下工藝步驟：

⑴?制絨；

⑵?掩膜，中子嬗變摻雜，退火，同時實現發射極的輕摻雜和電極印刷區的重摻雜；

⑶?去邊緣結，去磷硅玻璃；

⑷?鍍SiNx膜；

⑸?絲網印刷，燒結。

6.如權利要求5所述的一種中子嬗變摻雜實現選擇性發射極晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述步驟⑵具體包括，將制絨后的硅片放到中子輻照室，通過能減緩中子透過的掩模遮擋，實現有掩模區和沒有掩模區中子輻照量的差異，經過10¹⁸~10²⁰?neutrons/cm²劑量的中子輻照，再經過400~600℃退火2~3小時，掩模區的發射極薄層電阻90~120?ohm/sq，沒有掩模區的電極印刷區薄層電阻10~30?ohm/sq，一次性實現選擇性發射極。

7.如權利要求6所述的一種中子嬗變摻雜實現選擇性發射極晶體硅太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述中子輻照室的中子輻照劑量為5×10¹⁹?neutrons/cm²。