[發明專利]固體攝像器件和電子裝置

有效

• 申請號: 201110263394.6
• 申請日: 2011-09-07
• 公開（公告）號: CN102404514B
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 小林正治;工藤義治;佐野拓也
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H04N5/335
• 分類號: H04N5/335;H04N5/374;H01L27/146;H04N5/247
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種固體攝像器件，其包括：

像素區域，所述像素區域形成于基板的光入射側，并且在所述像素區域上布置有多個包括光電轉換單元的像素；

周邊電路單元，所述周邊電路單元形成于所述像素區域的在所述基板深度方向上的下部處，并且所述周邊電路單元含有有源元件；以及

遮光部件，所述遮光部件形成于所述像素區域與所述周邊電路單元之間，其中，所述遮光部件遮蔽從所述有源元件出射的光使其無法入射到所述光電轉換單元上，

其中，所述基板是通過將第一半導體芯片單元和第二半導體芯片單元層疊起來而構成的，所述第一半導體芯片單元包括多層布線層和所述像素區域，所述第二半導體芯片單元包括多層布線層和所述周邊電路單元，

所述第一半導體芯片單元和所述第二半導體芯片單元通過貫穿所述第一半導體芯片單元的連接導體彼此電連接，所述連接導體連接所述第一半導體芯片單元的所述多層布線層的布線與所述第二半導體芯片單元的所述多層布線層的布線，并且

其中，所述遮光部件包括單個金屬膜，

在所述單個金屬膜和所述第二半導體芯片單元的與所述連接導體連接的布線之間的層中形成偽布線，所述偽布線與所述布線部分地重疊且圍繞所述連接導體。

2.根據權利要求1所述的固體攝像器件，其中，

所述像素被形成得包括所述光電轉換單元和多個像素晶體管，并且

所述周邊電路單元的所述有源元件由MOS晶體管和/或二極管形成。

3.根據權利要求1所述的固體攝像器件，其中，在所述第一半導體芯片單元的所述多層布線層和所述第二半導體芯片單元的所述多層布線層相互面對的狀態下，所述第一半導體芯片單元和所述第二半導體芯片單元層疊起來。

4.根據權利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述遮光部件包括鎢(W)、銅(Cu)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)和碳(C)中的至少一者。

5.根據權利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述周邊電路單元包括邏輯電路。

6.根據權利要求1至5中的任一項所述的固體攝像器件，其中，所述遮光部件還包括所述第一半導體芯片單元的所述多層布線層或者所述第二半導體芯片單元的所述多層布線層的彼此部分重疊的且形成為對光進行反射和散射的反射散射部件的如下構成部分：多層布線、或者多層偽布線、或者多層布線與偽布線的組合。

7.根據權利要求1至5中的任一項所述的固體攝像器件，其中，所述遮光部件還包括對光進行吸收的光吸收部件。

8.根據權利要求1至5中的任一項所述的固體攝像器件，其中，所述單個金屬膜形成為對光進行反射和散射的反射散射部件。

9.根據權利要求7所述的固體攝像器件，其中，所述光吸收部件由單個膜形成，所述單個膜是利用具有小帶隙的半導體形成的。

10.根據權利要求7所述的固體攝像器件，其中，所述遮光部件還包括所述第一半導體芯片單元的所述多層布線層或者所述第二半導體芯片單元的所述多層布線層的彼此部分重疊的且形成為對光進行反射和散射的反射散射部件的如下構成部分：多層布線、或者多層偽布線、或者多層布線與偽布線的組合。

11.一種電子裝置，其包括：

固體攝像器件；

光學系統，所述光學系統將入射光引導至所述固體攝像器件的光電轉換單元；以及

信號處理電路，所述信號處理電路對所述固體攝像器件的輸出信號進行處理，

其中，所述固體攝像器件是由根據權利要求1至10中任一項所述的固體攝像器件構成的。