[發明專利]薄膜晶體管陣列面板

無效

• 申請號: 201110259413.8
• 申請日: 2011-09-05
• 公開（公告）號: CN102544026A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 崔永株;李禹根;尹甲洙;金己園;陳尚完;宋栽沅;朱迅
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種薄膜晶體管陣列面板，包括：

基板；

柵線，設置在所述基板上且包括柵電極；

第一柵絕緣層，設置在所述柵線上且包括硅氮化物；

第二柵絕緣層，設置在所述第一柵絕緣層上且包括硅氧化物；

氧化物半導體，設置在所述第二柵絕緣層上；

數據線，設置在所述氧化物半導體上且包括源電極；

漏電極，設置在所述氧化物半導體上且面對所述源電極；以及

像素電極，連接到所述漏電極，

其中所述第二柵絕緣層的厚度大于或等于200且小于500

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中所述第二柵絕緣層的厚度為300

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管陣列面板，其中所述第一柵絕緣層的厚度在從2000至5000的范圍。

4.如權利要求3所述的薄膜晶體管陣列面板，其中所述第二柵絕緣層和所述氧化物半導體的平面形狀和邊界彼此相同。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括溝道鈍化層，該溝道鈍化層設置在所述氧化物半導體的在所述源電極與所述漏電極之間的暴露部分上。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括設置在所述溝道鈍化層上的鈍化層。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管陣列面板，其中所述溝道鈍化層包括硅氧化物，所述鈍化層包括硅氮化物。

8.如權利要求3所述的薄膜晶體管陣列面板，其中所述第二柵絕緣層設置在所述第一柵絕緣層的整個表面上。

9.如權利要求8所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括第一鈍化層，該第一鈍化層設置在所述源電極、所述漏電極以及所述氧化物半導體的在所述源電極與所述漏電極之間的暴露氧化物部分上。

10.如權利要求9所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括設置在所述第一鈍化層上的第二鈍化層，

其中所述第一鈍化層包括硅氧化物，所述第二鈍化層包括硅氮化物。