[發明專利]一種提高發光二極管發光效率的方法

有效

• 申請號: 201110258718.7
• 申請日: 2011-09-02
• 公開（公告）號: CN102306691A
• 公開（公告）日: 2012-01-04
• 發明（設計）人: 韓杰;魏世禎
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 江西省專利事務所 36100
• 代理人: 胡里程

1.一種提高發光二極管發光效率的方法，該二極管外延片結構從下向上的順序依次為襯底(1)，低溫緩沖層(2)，高溫緩沖層(3)，N型層(4)，N型層(5)，N型層(6)，N型層(7)，發光層(8)，P型層(9)，P型層(10)，P型層(11)；其特征在于：發光層中采用具有不同厚度的壘層來提高發光效率：靠近N型層一側的壘層厚度為15nm到25nm，而靠近P型層一側的壘層的厚度在5到15nm；壘層的生長厚度介于5nm至20nm之間，生長溫度介于800℃至1050℃之間，V/III摩爾比介于1000至20000之間。

2.如權利要求1所述提高發光二極管發光效率的方法，其特征在于：發光層中，壘層的結構可以是AlxInyGa1-x-yN??0≤x＜1，0≤y＜1，x+y＜1。

3.如權利要求1或2所述提高發光二極管發光效率的方法，其特征在于：發光層中間X個壘層的厚度較厚，其余Y個壘層的厚度較薄，且中間X個壘層的厚度大于其余Y個壘層的厚度。