[發明專利]催化生長形成的線表面上的金屬催化劑殘余物的除去方法

無效

• 申請號: 201110256270.5
• 申請日: 2011-08-25
• 公開（公告）號: CN102412119A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 西蒙·佩羅;菲利普·科羅內爾
• 申請（專利權）人: 原子能與替代能源委員會
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;張耀宏

1.一種由第一材料(3)制成且通過催化生長得到的固體結構的表面上存在的催化劑殘余物(2)的除去方法，包括以下步驟：

-從所述催化劑殘余物(2)催化生長由第二材料(4)制成的固體結構；

-選擇性除去由第二材料(4)制成的所述固體結構。

2.根據權利要求1所述的催化劑殘余物的除去方法，其中所述固體結構(3、4)是線，有利的是納米線。

3.根據權利要求1或2所述的催化劑殘余物的除去方法，其中所述催化劑(2)是金屬催化劑，有利地選自包括銅、金、鉑和鋁的組。

4.根據前述權利要求中任一項所述的催化劑殘余物的除去方法，其中所述第一材料選自包括硅、鍺、硅-鍺、二氧化硅、氧化鋁、II-VI族半導體、III-V族半導體例如砷化鎵的組，有利的是硅。

5.根據前述權利要求中任一項所述的催化劑殘余物的除去方法，其中由第二材料(4)制成的所述固體結構利用濕法工藝或干法工藝通過蝕刻來選擇性除去。

6.根據前述權利要求中任一項所述的催化劑殘余物的除去方法，其中所述第二材料被給定溶液以快于侵蝕第一材料的速率化學侵蝕。

7.一種形成由第一材料(3)制成的固體結構的方法，包括以下步驟：

-從催化劑(2)催化生長由第一材料(3)制成的所述固體結構；

-通過利用根據權利要求1-6中任一項所述的方法除去所述固體結構(3)表面上存在的催化劑殘余物(2)。

8.根據權利要求7所述的形成固體結構的方法，其中在催化生長由第一材料(3)制成的所述固體結構的步驟之后，通過蝕刻至少部分地除去所述催化劑(2)。