[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110255941.6
• 申請日: 2011-08-31
• 公開（公告）號: CN102694009A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 大田剛志;新井雅俊;鈴木誠和子
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/739;H01L29/861;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳萍

1.一種半導體器件，其特征在于，具備：

第1導電型的第1半導體層；

多個第2導電型的基區，設置在上述第1半導體層的表面；

第1導電型的源區，選擇性地設置在上述基區的各自的表面；

柵電極，在從上述源區的表面貫通上述基區而到達上述第1半導體層的一對溝槽內，隔著柵絕緣膜分別設置；

場板電極，在上述一對溝槽內，在上述柵電極之下隔著場板絕緣膜分別設置；

第1主電極，電連接于上述第1半導體層；及

第2主電極，電連接于上述源區；

上述場板絕緣膜的一部分的厚度比上述柵絕緣膜的厚度厚；

在上述一對溝槽內分別設置的上述場板絕緣膜的上述一部分彼此之間的上述第1半導體層的寬度，比在上述一對溝槽內分別設置的上述柵絕緣膜彼此之間的上述基區的寬度窄；

在上述第1半導體層和上述場板絕緣膜的上述一部分之間的界面的正上方未形成上述源區。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

還在上述基區的表面選擇性地設有第2導電型的接觸區；

上述接觸區連接于上述源區；

上述接觸區的雜質濃度高于上述基區的雜質濃度。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

上述接觸區的下端和上述第1半導體層的背面之間的距離，比上述源區的下端和上述第1半導體層的上述背面之間的距離短。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

上述接觸區貫通上述基區，上述接觸區的上述下端與上述第1半導體層相接。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

在上述第1半導體層和上述場板絕緣膜的上述一部分之間的界面的正上方，形成有上述接觸區。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

在上述第1半導體層和上述第1主電極之間設有第2導電型的第2半導體層。

7.一種半導體器件，其特征在于，具備：

第1導電型的第1半導體層；

導電層，分別設置于從上述第1半導體層的表面到內部設置的一對溝槽內；

場板電極，在上述一對溝槽內，在上述導電層之下隔著場板絕緣膜分別設置；

第1主電極，在上述第1半導體層的背面側，電連接于上述第1半導體層；及

第2主電極，在上述第1半導體層的表面側，電連接于上述第1半導體層及上述導電層；

在上述一對溝槽內分別設置的上述場板絕緣膜的一部分彼此之間的上述第1半導體層的寬度，比在上述一對溝槽內分別設置的上述導電層彼此之間的上述第1半導體層的寬度窄。

8.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，

還在上述第1半導體層的表面設有第2導電型的第3半導體層；

上述第3半導體層連接于上述導電層及上述第2主電極。

9.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，

在上述導電層和上述第1半導體層之間設有絕緣膜；

上述場板絕緣膜的上述一部分的厚度比上述絕緣膜的厚度厚。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，

在上述一對溝槽內分別設置的上述場板絕緣膜的上述一部分彼此之間的上述第1半導體層的寬度，比在上述一對溝槽內分別設置的上述絕緣膜彼此之間的上述第1半導體層的寬度窄。

11.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，

還在上述第1半導體層的表面夾著上述絕緣膜設有第2導電型的第3半導體層；

上述第3半導體層連接于上述第2主電極。

12.如權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，

還在上述第1半導體層和上述第2主電極之間設有第2導電型的第4半導體層。

13.如權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，

上述第4半導體層的雜質濃度低于上述第3半導體層的雜質濃度。

14.如權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，

還在上述第4半導體層和上述第2主電極之間設有第2導電型的第5半導體層，上述第5半導體層的雜質濃度高于上述第3半導體層的雜質濃度。