[發明專利]基板粘合裝置以及基板粘合方法有效
| 申請號: | 201110255380.X | 申請日: | 2011-08-10 |
| 公開(公告)號: | CN102386118A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發明(設計)人: | 黃載錫 | 申請(專利權)人: | 麗佳達普株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;呂俊剛 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 粘合 裝置 以及 方法 | ||
1.一種基板粘合裝置,該基板粘合裝置包括:
腔體;
上表面板,所述上表面板被布置在所述腔體內部,并且所述上表面板包括用于粘結上基板的粘結部件、和進行膨脹以使所述上基板與所述粘結部件分離的隔膜;
下表面板,所述下表面板被布置在所述腔體內部,所述下表面板與所述上表面板相對,并且所述下表面板支撐要被粘合到所述上基板的下基板;
下表面板升降驅動器,所述下表面板升降驅動器驅動所述下表面板;以及
控制器,所述控制器控制所述下表面板升降驅動器以在所述隔膜開始膨脹之后使所述下表面板向下移動。
2.根據權利要求1所述的基板粘合裝置,其中,當所述隔膜膨脹時,所述控制器控制所述升降驅動器以使所述下表面板開始向下移動。
3.根據權利要求2所述的基板粘合裝置,其中,當所述下表面板向下移動時,所述控制器控制所述上表面板向上移動。
4.根據權利要求1所述的基板粘合裝置,其中,當所述隔膜膨脹時,所述控制器控制所述下表面板以第一速度向下移動預定時間段,并且在經過了所述預定時間段之后,所述控制器控制所述下表面板以比所述第一速度快的第二速度向下移動。
5.根據權利要求4所述的基板粘合裝置,其中,所述第一速度的范圍為從0.05mm/sec到0.5mm/sec,并且所述第二速度的范圍為從0.6mm/sec到1.5mm/sec。
6.根據權利要求1所述的基板粘合裝置,其中,在所述隔膜膨脹之前,所述控制器控制所述上表面板朝著所述下表面板向下移動,并且在所述上表面板向下移動預定距離之后,所述控制器控制所述隔膜進行膨脹。
7.一種基板粘合方法,該基板粘合方法包括以下步驟:
將上基板粘結到包括粘結部件的上表面板,并且將下基板固定到下表面板上;
使腔體真空化;以及
開始使設置在所述上表面板中的隔膜膨脹以使已粘結的上基板與所述上表面板分離,并且在所述隔膜開始膨脹之后使所述下表面板向下移動。
8.根據權利要求7所述的基板粘合方法,其中,當所述隔膜膨脹時所述下表面板開始向下移動。
9.根據權利要求8所述的基板粘合方法,其中,當所述下表面板向下移動時所述上表面板向上移動。
10.根據權利要求7所述的基板粘合方法,其中,當所述隔膜膨脹時,所述下表面板以第一速度向下移動預定時間段,并且在經過了所述預定時間段之后,所述下表面板以比所述第一速度快的第二速度向下移動。
11.根據權利要求10所述的基板粘合方法,其中,所述第一速度的范圍為從0.05mm/sec到0.5mm/sec,并且所述第二速度的范圍為從0.6mm/sec到1.5mm/sec。
12.根據權利要求7所述的基板粘合方法,其中,在所述隔膜膨脹之前,所述上表面板朝著所述下表面板向下移動,并且在所述上表面板向下移動預定距離之后所述隔膜膨脹。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





