[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110252228.6
• 申請(qǐng)日: 2011-08-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102651232A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 具岐峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/409
• 分類號(hào): G11C11/409
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2011年2月28日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2010-0018197的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的各實(shí)施例涉及半導(dǎo)體集成電路。更具體而言，某些實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

背景技術(shù)

為了使半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的容量最大化，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的一個(gè)模塊中設(shè)置多個(gè)芯片。

圖1是常見(jiàn)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的配置圖。

如圖1所示，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括控制器12和存儲(chǔ)區(qū)14。存儲(chǔ)區(qū)14可以包括層疊在其內(nèi)的多個(gè)芯片。存儲(chǔ)區(qū)14還可以包括一個(gè)或更多個(gè)冗余芯片，以應(yīng)對(duì)在特定的芯片中發(fā)生失效，以便替換失效的芯片。

控制器12為存儲(chǔ)區(qū)14提供時(shí)鐘使能信號(hào)CKE、時(shí)鐘信號(hào)CLK、命令CMD和地址ADD，并經(jīng)由DQ引腳傳送/接收數(shù)據(jù)。

例如，當(dāng)芯片1中發(fā)生失效時(shí)，控制器12可以實(shí)質(zhì)上防止訪問(wèn)芯片1，并可以在必需要訪問(wèn)芯片1時(shí)容許訪問(wèn)冗余芯片中的一個(gè)。

然而，盡管由于訪問(wèn)路徑已轉(zhuǎn)至冗余芯片故在進(jìn)一步的操作中不需要芯片1，但控制12仍繼續(xù)向失效芯片以及處于正常操作的芯片供電。也就是，由于不必要的供電，因此半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的總功耗增加。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)區(qū)可以如圖2所示來(lái)配置。

圖2是說(shuō)明包括多個(gè)存儲(chǔ)列(rank)的存儲(chǔ)區(qū)的圖。

圖2所示的存儲(chǔ)區(qū)16包括多個(gè)存儲(chǔ)列，每個(gè)存儲(chǔ)列包括層疊在其內(nèi)的多個(gè)芯片。由于每個(gè)存儲(chǔ)列還包括一個(gè)或更多個(gè)冗余芯片，故可以利用冗余芯片來(lái)修復(fù)失效芯片。

包括這種存儲(chǔ)區(qū)16的存儲(chǔ)裝置可以執(zhí)行關(guān)于所述多個(gè)存儲(chǔ)列的交織(interleave)操作，由此實(shí)現(xiàn)高速操作。

在這種存儲(chǔ)裝置中，可以由芯片選擇信號(hào)CS選中一個(gè)存儲(chǔ)列，并且可以基于芯片地址信號(hào)選中要訪問(wèn)的芯片。此時(shí)，控制器仍繼續(xù)向未選中的芯片供電，導(dǎo)致半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的功耗增加。

發(fā)明內(nèi)容

因此，需要一種改進(jìn)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其能夠有效地降低功耗。

為了實(shí)現(xiàn)上述優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文所實(shí)施并廣義描述的，本發(fā)明的一個(gè)示例性方面可以提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括：存儲(chǔ)器單元陣列，所述存儲(chǔ)器單元陣列包括多個(gè)芯片；控制電路，所述控制電路被配置為控制存儲(chǔ)器單元陣列的內(nèi)部操作；電源電路，所述電源電路被配置為向控制電路供電；以及模式設(shè)置電路，所述模式設(shè)置電路被配置為響應(yīng)于時(shí)鐘使能信號(hào)而基于模式寄存器組命令(mode?register?set?command)和經(jīng)由數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤(pán)接收的數(shù)據(jù)來(lái)輸出用于供電控制的標(biāo)志信號(hào)。

在本發(fā)明的另一個(gè)示例性方面中，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可以包括：存儲(chǔ)器單元陣列，所述存儲(chǔ)器單元陣列包括多個(gè)芯片；控制電路，所述控制電路被配置為控制存儲(chǔ)器單元陣列的內(nèi)部操作；電源電路，所述電源電路被配置為向控制電路供電；以及模式設(shè)置電路，所述模式設(shè)置電路被配置為響應(yīng)于時(shí)鐘使能信號(hào)而基于模式寄存器組命令和經(jīng)由數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤(pán)接收的與失效芯片有關(guān)的信息來(lái)輸出第一標(biāo)志信號(hào)，并基于模式寄存器組命令以及經(jīng)由數(shù)據(jù)輸入/輸出焊盤(pán)接收的與以字節(jié)為單位的操作模式有關(guān)的信息來(lái)輸出第二標(biāo)志信號(hào)。

本發(fā)明的其它的目的和優(yōu)點(diǎn)的一部分將在以下的描述中闡明，一部分將從描述中顯然地得出，或者可以通過(guò)對(duì)本發(fā)明的實(shí)踐而習(xí)得。借助于所附權(quán)利要求中特別指出的要素和組合可以了解并獲得本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)。

應(yīng)當(dāng)理解的是，前述的概括性的描述以及以下的詳細(xì)描述都是示例性并僅用于解釋說(shuō)明的，并非是對(duì)權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的限制。

附圖說(shuō)明

包含在本說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)一部分的附圖示出與本發(fā)明一致的各個(gè)實(shí)施例，并且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1是常見(jiàn)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的配置圖。

圖2是說(shuō)明包括多個(gè)存儲(chǔ)列的存儲(chǔ)區(qū)的圖。

圖3是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的模式設(shè)置電路的圖。

圖4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的模式設(shè)置過(guò)程的時(shí)序圖。

圖5是說(shuō)明圖3所示的模式設(shè)置電路的一個(gè)例子的圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的配置圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將具體參考符合本公開(kāi)的示例性實(shí)施方式，附圖中圖示了本公開(kāi)的例子。只要可能，將在全部附圖中使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示相同或相似的部分。

圖3是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的模式設(shè)置電路的圖。