[發明專利]高熒光亮度的量子點復合顆粒和免疫學檢測探針及復合顆粒的制備方法

有效

• 申請號: 201110251857.7
• 申請日: 2011-08-30
• 公開（公告）號: CN102382640A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 楊萍;于京華
• 申請（專利權）人: 濟南大學
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/88;C09K11/56;C09K11/70;C12N15/11;C12Q1/68;G01N33/53
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所 37218
• 代理人: 李桂存

1.一種高熒光亮度的量子點復合顆粒，其特征是：在一個或多個量子點表面包覆上一層二氧化硅殼形成復合顆粒，所述復合顆粒直徑為5~100?nm，其中?SiO₂與量子點的摩爾比為60-99：0.2-40。

2.根據權利要求1所述的量子點復合顆粒，其特征是：二氧化硅殼表面修飾有官能團，所述官能團為氨基、巰基、羧基或聚乙二醇基；二氧化硅殼內分布有1～200個量子點，量子點為II-VI族半導體材料、III-V族半導體材料，或者為II-VI族半導體材料和III-V族半導體材料形成的復合材料，量子點的粒徑為1?~?15?nm。

3.根據權利要求2所述的量子點復合顆粒，其特征是：量子點為ZnSe、CdSe、CdS、CdTe、InP、ZnSe/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnS、CdTe/ZnS、InP/ZnS、CdSe/ZnSe、CdS/ZnSe、CdTe/ZnSe、CdSe/CdS、InP/CdS、CdTe/CdS、CdS/Zn_xCd_1-xS、ZnSe/Zn_xCd_1-xS、CdSe/Zn_xCd_1-xS、CdTe/Zn_xCd_1-xS、InP/Zn_xCd_1-xS、ZnSe/CdS/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、CdTe/CdS/ZnS和InP/CdS/ZnS中的至少一種，其中0<x<1。

4.一種高熒光亮度的量子點復合顆粒的制備方法，其特征是包括以下步驟：

（1）量子點預處理：將水溶性量子點采用下列a或b的方法進行預處理得到預處理溶液

a.將水溶性量子點分散到0.2-2?mL水中，量子點的濃度為1×?10^-7～100?×?10^-7?mol/L，然后加入0.2-5μL含官能團的烷氧基硅烷試劑并攪拌3-15小時，完成量子點的表面烷氧基硅烷修飾；

b.將水溶性量子點分散到0.2-2?mL水中，量子點的濃度為1×?10^-7～100?×?10^-7?mol/L，然后加入0.2-5μL含官能團的烷氧基硅烷試劑并攪拌3-15小時，完成量子點的表面烷氧基硅烷修飾，得到量子點膠體溶液，然后在量子點膠體溶液中加入0.2-40?mLC₁-C₄的醇，再加入10μL?-?1?mL氨水，攪拌5-24小時完成量子點的自組裝；

（2）向步驟（1）的預處理溶液中加入1-20?uL的不含官能團的烷氧基硅烷試劑和10μL?-?2?mL氨水，攪拌反應2-6h，再加入0.5-2?uL的含有官能團的烷氧基硅烷試劑，繼續攪拌反應1-10h，反應完后離心分離得到表面含有官能團、內部分布有量子點的量子點復合顆粒。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征是：所述不含官能團的烷氧基硅烷試劑為正硅酸乙酯、正硅酸甲酯、正硅酸丙酯、正硅酸丁酯；含官能團的烷氧基硅烷試劑為氨丙基三甲氧基硅烷、氨乙基三甲氧基硅烷、氨甲基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷、氨乙基三乙氧基硅烷、氨甲基三乙氧基硅烷、氨甲基三丙氧基硅烷、氨乙基三丙氧基硅烷、氨丙基三丙氧基硅烷、巰丙基三甲氧基硅烷、巰乙基三甲氧基硅烷、巰甲基三甲氧基硅烷、巰丙基三乙氧基硅烷、巰乙基三乙氧基硅烷、巰甲基三乙氧基硅烷、巰甲基三丙氧基硅烷、巰乙基三丙氧基硅烷、巰丙基三丙氧基硅烷、羧乙基硅三醇鈉鹽、C₇H₁₆O₂SSi、2-[甲氧基(聚乙烯氧代)丙基]三甲氧基硅烷、2-甲基-3-羥丙基甲基(硅氧烷與聚硅氧烷)或CH₃O(C₂H₄O)_6-9C₃H₆Cl₃Si。

6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征是：所用氨水質量濃度為5?-?33%。