[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110251651.4
• 申請(qǐng)日: 2011-08-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102404002A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大村昌伸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03L7/099
• 分類號(hào): H03L7/099;H01L23/58;H01L23/522
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 歐陽(yáng)帆

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路裝置。

背景技術(shù)

已經(jīng)出現(xiàn)了保護(hù)安裝在用于保持諸如個(gè)人信息之類的要求高安全性的數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體集成電路裝置上的電路以防止物理的改變和分析的要求。在日本專利公開(kāi)No.2006-012159中描述的半導(dǎo)體集成電路裝置中，布線線路被形成在要保護(hù)的電路上。在檢測(cè)到該布線線路的電壓的變化時(shí)，半導(dǎo)體集成電路裝置的檢測(cè)電路確定該布線線路已經(jīng)被改變(alter)。然而，聚焦離子束(FIB)設(shè)備近來(lái)已經(jīng)變得可用。在使用FIB設(shè)備時(shí)，可以通過(guò)從半導(dǎo)體集成電路裝置的正面發(fā)射離子束來(lái)切斷布線線路，并且沉積布線金屬。因此，即使在使用在日本專利公開(kāi)No.2006-012159中描述的技術(shù)來(lái)保護(hù)電路時(shí)，如果FIB設(shè)備被用來(lái)沉積布線金屬?gòu)亩@過(guò)(bypass)要被分析的部分并且施加預(yù)定的電壓，則也有可能導(dǎo)致識(shí)別錯(cuò)誤，也就是說(shuō)，有可能導(dǎo)致檢測(cè)電路的確定操作檢測(cè)到正常狀態(tài)而不是異常狀態(tài)。

發(fā)明內(nèi)容

上述的在要被保護(hù)的電路模塊上形成導(dǎo)電圖案并且檢測(cè)該導(dǎo)電圖案的電位變化的方法不能準(zhǔn)確地檢測(cè)到導(dǎo)電圖案的改變。因此，本發(fā)明的一個(gè)方面提供了用于提高對(duì)形成在要被保護(hù)的電路模塊上的導(dǎo)電圖案的改變的檢測(cè)的精確度的技術(shù)。

本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種半導(dǎo)體集成電路裝置，其包括：電路模塊，形成在半導(dǎo)體襯底上；導(dǎo)電圖案，形成在所述電路模塊的要被保護(hù)的部分的上層中；振蕩電路，與所述導(dǎo)電圖案連接，并且被配置為以由所述導(dǎo)電圖案的電路常數(shù)確定的振蕩頻率振蕩；以及檢測(cè)電路，被配置為確定預(yù)設(shè)范圍是否包括所述振蕩電路的所述振蕩頻率。

從以下示例性實(shí)施例的描述(參考附圖)中本發(fā)明更多的特征將變得清晰。

附圖說(shuō)明

被加入且構(gòu)成說(shuō)明書一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與描述一起用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的原理。

圖1是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路裝置的布置的示例的視圖；

圖2是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的檢測(cè)電路的詳細(xì)配置的示例的視圖；

圖3A和圖3B是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的振蕩電路的詳細(xì)配置的示例的視圖；

圖4是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的計(jì)數(shù)器電路的時(shí)序圖的示例的視圖；

圖5是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的比較電路的電路配置的示例的視圖；

圖6A～6F是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的導(dǎo)電圖案105的形狀的變型的視圖；

圖7是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的檢測(cè)電路的詳細(xì)配置的示例的視圖；

圖8是用于說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路裝置的布置的另一示例的視圖；以及

圖9是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的檢測(cè)電路104被分散的示例的視圖。

具體實(shí)施方式

下面將參考附圖說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。現(xiàn)在將參考圖1說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路裝置100的配置示例。半導(dǎo)體集成電路裝置100可以包括形成在半導(dǎo)體襯底101上方的存儲(chǔ)電路102、控制電路103、處理電路108以及檢測(cè)電路104。存儲(chǔ)電路102可以包括非易失性存儲(chǔ)器和易失性存儲(chǔ)器中的至少一種，并且保持?jǐn)?shù)據(jù)。控制電路103是例如CMOS邏輯電路，并且可以控制處理電路108對(duì)保持在存儲(chǔ)電路102中的數(shù)據(jù)的訪問(wèn)。即，控制電路103可以控制通過(guò)處理電路108向存儲(chǔ)電路102寫入數(shù)據(jù)，并且通過(guò)處理電路108從存儲(chǔ)電路102中讀取數(shù)據(jù)。處理電路108可以處理保持在存儲(chǔ)電路102中的數(shù)據(jù)，并且向例如輸出裝置輸出產(chǎn)生的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)電路102、控制電路103和處理電路108可以形成電路模塊106。電路模塊106可以經(jīng)由端子107與外部裝置連接。