[發(fā)明專利]高壓MOS器件測(cè)試方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110247687.5
• 申請(qǐng)日: 2011-08-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102385029A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韋敏俠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種高壓MOS器件的測(cè)試方法，用于測(cè)試半導(dǎo)體晶圓上各芯片的高壓MOS器件是否失效，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體晶圓上任選若干芯片，測(cè)試其高壓MOS器件；

將所述各芯片的高壓MOS器件的一極接地，另一極與柵極接測(cè)試端；

逐步升高在所述測(cè)試端施加的測(cè)試電壓，并同時(shí)測(cè)量各高壓MOS器件對(duì)應(yīng)的源漏電流；所述測(cè)試電壓的初始值小于所述高壓MOS器件的飽和電壓；

根據(jù)所述測(cè)試電壓以及相應(yīng)的源漏電流，形成各芯片的高壓MOS器件的輸出特性曲線；

根據(jù)所述輸出特性曲線判定所述高壓MOS器件是否失效。

2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于，采用固定的幅度遞增施加于測(cè)試端的測(cè)試電壓。

3.如權(quán)利要求2所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述測(cè)試電壓從零開(kāi)始遞增。

4.如權(quán)利要求2所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述測(cè)試電壓從所述高壓MOS器件的閾值電壓開(kāi)始遞增。

5.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述判定失效包括：將各芯片的高壓MOS器件的輸出特性曲線相互比較，從而判定失效器件。

6.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述判定失效包括：建立高壓MOS器件的標(biāo)準(zhǔn)輸出特性曲線，將各測(cè)試的高壓MOS器件的輸出特性曲線與之比較從而判定失效器件。

7.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述判定失效包括：設(shè)定所述高壓MOS器件的飽和區(qū)測(cè)試電壓的臨界值，將測(cè)試電壓在小于所述臨界值時(shí)便進(jìn)入飽和區(qū)的高壓MOS器件判定為失效器件。