[發(fā)明專利]晶圓的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110247635.8
• 申請(qǐng)日: 2011-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN102263028A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王碩;許忠義
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/324
• 分類號(hào): H01L21/324;H01L21/673
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶圓的形成方法，其特征在于，包括：

提供晶舟，將多片晶圓放置在所述晶舟上；

將放置有所述晶圓的晶舟放置到退火裝置內(nèi)；

動(dòng)態(tài)地調(diào)整所述退火裝置的升溫速率，在達(dá)到退火溫度后對(duì)所述晶圓進(jìn)行退火處理。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓的形成方法，其特征在于，所述動(dòng)態(tài)地調(diào)整退火裝置的升溫速率包括：當(dāng)退火裝置的溫度為750℃-1000℃時(shí)，所述退火裝置的升溫速率小于等于7℃/min；當(dāng)退火裝置的溫度為1000℃-1100℃時(shí)，所述退火裝置的升溫速率小于等于3℃/min；當(dāng)退火裝置的溫度為1100℃-1150℃時(shí)，所述退火裝置的升溫速率小于等于2℃/min；當(dāng)退火裝置的溫度為1150℃-1200℃時(shí)，所述退火裝置的升溫速率小于等于0.5℃/min。

3.如權(quán)利要求1或2所述的晶圓的形成方法，其特征在于，所述退火溫度為1150℃-1200℃，退火氣體采用氬氣或氮?dú)猓嘶鹛幚淼臅r(shí)間大于0.5小時(shí)。

4.如權(quán)利要求1或2所述的晶圓的形成方法，其特征在于，采用的所述晶舟包括至少3個(gè)支撐部件，每個(gè)所述支撐部件內(nèi)形成有多個(gè)相互平行且等距的晶圓槽，所述晶圓放置于晶圓槽內(nèi)。

5.如權(quán)利要求4所述的晶圓的形成方法，其特征在于，相鄰的所述晶圓槽之間的距離大于6.35mm。

6.如權(quán)利要求4所述的晶圓的形成方法，其特征在于，所述相鄰兩個(gè)晶圓槽之間的距離為7mm～9mm。

7.如權(quán)利要求4所述的晶圓的形成方法，其特征在于，所述晶圓槽的下表面與晶圓的接觸面的面積大于2cm²。

8.如權(quán)利要求1所述的晶圓的形成方法，其特征在于，所述退火裝置的升溫速率通過調(diào)整所述退火裝置的功率來實(shí)現(xiàn)。

9.如權(quán)利要求1所述的晶圓的形成方法，其特征在于，所述退火裝置為爐管。