[發明專利]發光二極管及其制作方法無效
| 申請號： | 201110247264.3 | 申請日： | 2011-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN102299218A | 公開（公告）日： | 2011-12-28 |
| 發明（設計）人： | 張楠;周健華;朱廣敏;郝茂盛 | 申請（專利權）人： | 上海藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/36 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 及其 制作方法 | ||
1.一種發光二極管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步驟：
1)提供一半導體襯底，利用金屬有機化學氣相沉積技術在所述半導體襯底上依次生長出緩沖層及外延層，所述外延層包括N-GaN層、成長在所述N-GaN層上的量子阱、成長在所述量子阱上的P-GaN層、及成長在所述P-GaN層上的氮化鋁層；
2)利用掩膜技術，將要欲制作P電極的區域藉由一掩膜層進行保護；
3)腐蝕所述欲制作P電極的區域以外的氮化鋁層，直至所述P-GaN層；
4)去除所述掩膜層，以形成帶有電流阻擋層的外延結構；以及
5)在所述P-GaN層上制備出透明導電層及P電極，在所述N-GaN層上制備出N電極，形成具有電流阻擋層結構的發光二極管。
2.根據權利要求1所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：于所述步驟1)中，生長所述氮化鋁層的溫度為400℃-1000℃。
3.根據權利要求1所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述掩膜層的材質為SiO2、SiN、或者Ag。
4.根據權利要求3所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述掩膜層的材質為SiO2或SiN時，腐蝕所述氮化鋁層的腐蝕溶液為H3PO4或者H3PO4與H2SO4的混合溶液。
5.根據權利要求3所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：所述掩膜層的材質為Ag時，腐蝕所述氮化鋁層的腐蝕溶液為KOH或者KOH與NaOH的混合溶液。
6.根據權利要求4或5所述的發光二極管的制作方法，其特征在于：于所述步驟3)中，腐蝕所述氮化鋁層時的腐蝕溫度為140℃-300℃，腐蝕時間為10分鐘-24小時。
7.一種發光二極管，其特征在于，包括：
半導體襯底，其上表面具有一緩沖層；
外延層，形成于所述緩沖層上表面，包括N-GaN層、位于所述N-GaN層上的量子阱、位于所述量子阱上的P-GaN層、以及位于所述P-GaN層上由氮化鋁層組成的電流阻擋層，所述電流阻擋層上設置有P電極，所述N-GaN層上設置有N電極；以及
透明導電層，形成于所述外延層及電流阻擋層的上，并包覆所述電流阻擋層。
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