[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110246794.6
• 申請日: 2011-08-26
• 公開（公告）號: CN102956459A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王新鵬;黃怡;張世謀
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供半導(dǎo)體器件的襯底，所述襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)和第一層間電介質(zhì)層，所述柵極結(jié)構(gòu)包括金屬柵極，所述第一層間電介質(zhì)層的上表面與所述柵極的上表面基本上齊平；

在所述襯底上形成界面層，以至少覆蓋所述柵極的上表面，以保護所述柵極的上表面不被氧化；以及

在所述界面層上形成第二層間電介質(zhì)層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：將所述第二層間電介質(zhì)層圖案化，以形成穿過所述第二層間電介質(zhì)層的開口，從而露出所述界面層的部分表面。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述圖案化進一步包括：在所述第二層間電介質(zhì)層上形成圖案化的抗蝕劑；以所述圖案化的抗蝕劑為掩模，對所述第二層間電介質(zhì)層進行蝕刻，以形成所述開口，

其中，有意地使對所述第二層間電介質(zhì)層的蝕刻停止在所述界面層處。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：在對所述第二層間電介質(zhì)層的蝕刻之后，通過灰化來去除所述抗蝕劑，

其中，在該灰化過程中，所述界面層保護金屬柵極不受灰化的影響。

5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：以圖案化的第二層間電介質(zhì)層為掩模對所述界面層的露出的部分進行蝕刻，以形成穿過所述界面層的開口，從而露出所述金屬柵極的至少部分上表面和/或第一層間電介質(zhì)層的部分表面。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括：對所述第一層間電介質(zhì)層的所露出的部分進行蝕刻，形成穿過所述第一層間電介質(zhì)層的開口，以露出襯底的部分表面。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述襯底的露出的表面位于半導(dǎo)體器件的源區(qū)或漏區(qū)。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬柵極包含鋁。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述界面層的材料為下列中的一種：硅的氮化物，硅的碳化物，或摻雜的硅的碳化物。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述界面層的厚度為5-250nm。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供所述半導(dǎo)體器件的襯底的步驟包括：

在襯底上形成偽柵的柵極結(jié)構(gòu)，所述偽柵的柵極結(jié)構(gòu)包括偽柵、偽柵下的電介質(zhì)層、以及用于所述偽柵的間隔件；

進行注入以在襯底中形成源區(qū)和漏區(qū)；

在襯底上形成第一層間電介質(zhì)層，并進行化學(xué)機械拋光，以露出偽柵的頂表面；

去除所述偽柵；以及

形成柵極電介質(zhì)層和所述金屬柵極，使得所述金屬柵極的上表面與所述第一層間電介質(zhì)層的上表面基本上齊平。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供所述半導(dǎo)體器件的襯底的步驟包括：

在襯底上形成所述柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)還包括所述金屬柵極下的電介質(zhì)層、以及用于所述金屬柵極的間隔件；

進行注入以在襯底中形成源區(qū)和漏區(qū)；

在襯底上形成第一層間電介質(zhì)層，使得所述金屬柵極的上表面與所述第一層間電介質(zhì)層的上表面基本上齊平。

13.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括：

襯底，

在所述襯底上的柵極結(jié)構(gòu)和第一層間電介質(zhì)層，所述柵極結(jié)構(gòu)包括金屬柵極，所述第一層間電介質(zhì)層的上表面與所述柵極的上表面基本上齊平；

界面層，其至少覆蓋所述柵極的上表面，以保護所述柵極的上表面不被氧化；以及

在所述界面層上的第二層間電介質(zhì)層。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二層間電介質(zhì)層具有穿過所述第二層間電介質(zhì)的第一開口，從而使得所述界面層的部分表面露出。

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述界面層具有穿過所述界面層的第二開口，所述第二開口在所述第一開口下方的，并使得所述金屬柵極的至少部分上表面和/或所述第一層間電介質(zhì)層的部分表面露出。