[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110245081.8
• 申請(qǐng)日: 2011-08-25
• 公開（公告）號(hào): CN102386207A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳春其;崔埈厚
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 羅正云;宋志強(qiáng)

1.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括：

薄膜晶體管的有源層，形成在基板上；

形成在所述有源層和第一絕緣層上的柵電極，包括第一透明導(dǎo)電層和第一金屬層；

形成在所述柵電極和第二絕緣層上的源電極和漏電極，包括通過形成在所述第二絕緣層中的接觸孔連接至所述有源層的第二金屬層、形成在所述第二金屬層上的第三金屬層以及形成在所述第三金屬層上的第二透明導(dǎo)電層；

形成在所述第一絕緣層上的像素電極，包括所述第一透明導(dǎo)電層、所述第三金屬層和所述第二透明導(dǎo)電層；

布置在所述像素電極上的中間層，包括有機(jī)發(fā)射層；以及

對(duì)電極，通過在所述像素電極與所述對(duì)電極之間布置所述中間層而被布置為面對(duì)所述像素電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第三金屬層包括反射材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述反射材料包括銀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一透明導(dǎo)電層和所述第二透明導(dǎo)電層中的每一個(gè)包括從氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵以及氧化鋁鋅所組成的組中選擇的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一金屬層和所述第二金屬層中的每一個(gè)包括多個(gè)金屬層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一金屬層和所述第二金屬層包括相同的材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一金屬層和所述第二金屬層包括鋁。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中在所述像素電極中，所述第一透明導(dǎo)電層具有與所述第三金屬層和所述第二透明導(dǎo)電層的刻蝕端不同的刻蝕端。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一金屬層被布置在所述第一透明導(dǎo)電層的上表面上、所述第三金屬層的旁邊的表面上以及所述像素電極的第二絕緣層的下表面上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述像素電極的第一透明導(dǎo)電層通過透過所述第一金屬層和所述第二絕緣層的通孔連接至所述源電極和漏電極之一。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括電容器，所述電容器包括與所述有源層的材料相同并形成在與所述有源層相同水平上的第一電極，以及包括所述第一透明導(dǎo)電層并形成在所述第一絕緣層上的第二電極。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述電容器的第二電極進(jìn)一步包括位于所述第一透明導(dǎo)電層上的第三金屬層和第二透明導(dǎo)電層。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述像素電極為用于部分透射并部分反射從所述有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的光的半透半反鏡。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述對(duì)電極為用于反射從所述有機(jī)發(fā)射層發(fā)射的光的反射鏡。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括環(huán)繞所述像素電極的邊緣并覆蓋所述源電極和漏電極的像素限定層。

16.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，所述方法包括以下步驟：

執(zhí)行第一掩膜工藝，用于在基板上形成半導(dǎo)體層，并且用于通過圖案化所述半導(dǎo)體層形成薄膜晶體管的有源層；

執(zhí)行第二掩膜工藝，用于在所述有源層上形成第一絕緣層、第一透明導(dǎo)電層和第一金屬層，并且用于通過圖案化所述第一透明導(dǎo)電層和所述第一金屬層形成像素電極的基底層和所述薄膜晶體管的柵電極；

執(zhí)行第三掩膜工藝，用于在所述基底層和所述柵電極上形成第二絕緣層，并且用于通過圖案化所述第二絕緣層形成暴露所述基底層的第一透明導(dǎo)電層的第一開口和暴露所述薄膜晶體管的源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔；

執(zhí)行第四掩膜工藝，用于在所述第一開口和所述接觸孔中形成第二金屬層，并且用于通過圖案化所述第二金屬層形成分別連接至所述源區(qū)和漏區(qū)的源電極和漏電極；并且

執(zhí)行第五掩膜工藝，用于在所述源電極和漏電極上形成第三金屬層和第二透明導(dǎo)電層，并且用于通過圖案化所述第三金屬層和所述第二透明導(dǎo)電層來形成所述像素電極的上層以及所述源電極和漏電極的蓋層。