[發(fā)明專利]單次性可編程、電性熔絲、可編程電阻式的記憶體及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110244342.4
• 申請日: 2011-08-22
• 公開（公告）號: CN102376359A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 莊建祥
• 申請（專利權(quán)）人: 莊建祥
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;H01L27/112
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;常大軍

1.一種可編程電阻式記憶體，其特征在于，包括：

多個可編程電阻式存儲單元，至少有一可編程電阻式存儲單元包括：

一可編程電阻式元件被耦合到第一電源電壓線；及

一二極管建構(gòu)于多晶硅，包括至少有一第一端和一第二端，其中該第一端具有一第一型摻雜，該第二端具有一第二型摻雜，該第一端提供了該二極管的一第一端而該第二端提供二極管的一第二端，該第一端和該第二端均存在一個共同的多晶硅上，該第一端被耦合到可編程電阻式元件，該而第二端被耦合到第二電源電壓線；

其中該第一和該第二端的摻雜劑是從金氧半導(dǎo)體元件源極或漏極的摻雜植入制造，

其中，經(jīng)由施加電壓到第一和第二電源電壓線而改變電阻為不同的邏輯狀態(tài)，該可編程電阻式元件被配置為可編程。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程電阻式記憶體，其特征在于，該可編程電阻式元件包括至少一種多晶硅、硅化多晶硅、硅化物、熱隔離的主動區(qū)、局部互連、金屬、金屬合金或是由金氧半導(dǎo)體元件柵極構(gòu)成的互連。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程電阻式記憶體，其特征在于，該可編程電阻式元件為接點熔絲或?qū)娱g接點熔絲。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程電阻式記憶體，其特征在于，該可編程電阻式元件一體制作于該二極管的該多晶硅上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程電阻式記憶體，其特征在于，可編程電阻式元件是一或多接點或?qū)娱g接點，并含有絕緣體于其間的反熔絲，或由一金氧半導(dǎo)體元件柵極耦合于一金氧半導(dǎo)體元件本體，其含有一柵極氧化層當(dāng)做為絕緣體的反熔絲。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程電阻式記憶體，其特征在于，該第一和第二型摻雜用硅化物阻擋層分隔，并重疊至少部分的兩型摻雜。

7.一種電子系統(tǒng)，其特征在于，包括：

一種處理器；及

一可編程電阻式記憶體可操作地連接到處理器，該可編程電阻式記憶體包括多個可編程存儲電阻式單元以提供數(shù)據(jù)存儲，每個可編程電阻存儲單元包括：

一可編程電阻式元件被耦合到第一電源電壓線；及

一二極管建構(gòu)于多晶硅，包括至少一第一端和一第二端，其中該第一端具有第一型摻雜，而該第二端具有第二型摻雜，該第一端提供了該二極管的一第一端，該第二端提供該二極管的一第二端，該第一和第二端均存在一個共同的多晶硅上，該第一端耦合到該可編程電阻元件而該第二端耦合到一第二電源電壓線；

其中第一和第二端的摻雜劑是從金氧半導(dǎo)體元件的源極或漏極的摻雜植入制造，

其中，經(jīng)由施加電壓到第一和第二電源電壓線，從而改變電阻到不同的邏輯狀態(tài)，該可編程電阻元件被配置為可編程。

8.一種提供一可編程電阻記憶體的方法，其特征在于，包括：

提供多個可編程電阻存儲單元，至少有一可編程電阻存儲單元包括至少(i)一可編程電阻元件被耦合到第一電源電壓線；及(ii)一二極管建構(gòu)于多晶硅，包括至少一第一端和一第二端，該第一端具有第一型摻雜，而該第二端具有第二型摻雜，該第一端提供該二極管的一第一端，該第二端提供該二極管的一第二端，該第一和第二端二者的摻雜是從金氧半導(dǎo)體元件的源極或漏極的摻雜植入制造，該第一端耦合到該可編程電阻元件而該第二端耦合到一第二電源電壓線；及

經(jīng)由施加電壓到第一和第二電壓線，以編程一邏輯狀態(tài)到至少一可編程電阻存儲單元。

9.一種單次性可編程記憶體，其特征在于，包括：

多個單次性可編程存儲單元，至少有一單次性可編程存儲單元包括：

一單次性可編程元件被耦合到第一個電源電壓線；及

一二極管建構(gòu)于多晶硅，包括至少一第一端和一第二端，其中該第一端具有一第一型摻雜，該第二端具有一第二型摻雜，該第一端提供該二極管的一第一端而該第二端提供該二極管的一第二端，該第一端和第二端均存在一個共同的多晶硅上，該第一端被耦合到該單次性可編程元件，而該第二端被耦合到第二電源電壓線；

其中該第一和第二端的摻雜是從金氧半導(dǎo)體元件的源極或漏極的摻雜植入制造，

其中，經(jīng)由施加電壓到第一和第二電源電壓線而改變電阻為不同的邏輯狀態(tài)，該單次性可編程元件被配置為可編程。