[發(fā)明專(zhuān)利]用于硫族合金的拋光液無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110243540.9 | 申請(qǐng)日： | 2011-07-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102382575A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-03-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 具滋澔;劉振東;K·沙旺特;K-A·K·雷迪 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 羅門(mén)哈斯電子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | C09G1/02 | 分類(lèi)號(hào)： | C09G1/02;C23F3/00 |
| 代理公司： | 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 陳哲鋒 |
| 地址： | 美國(guó)特*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 合金 拋光 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及化學(xué)機(jī)械拋光組合物和使用該組合物的方法。更特別地，本發(fā)明涉及用于拋光含有相變合金(例如，鍺-銻-碲相變合金)的基材的化學(xué)機(jī)械拋光組合物。
背景技術(shù)
相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)已經(jīng)成為下一代存儲(chǔ)器的引領(lǐng)者，所述相變隨機(jī)存儲(chǔ)器使用能在絕緣材料(通常是無(wú)定形狀態(tài))和導(dǎo)電材料(通常是結(jié)晶狀態(tài))之間電轉(zhuǎn)換的相變材料。這些下一代的PRAM存儲(chǔ)器可以取代傳統(tǒng)的固態(tài)存儲(chǔ)器，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器-DRAM-設(shè)備；靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器-SRAM-設(shè)備、可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器-EPROM-設(shè)備和電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器-EEPROM-設(shè)備，它們每個(gè)存儲(chǔ)位各使用微電子電路元件。這些傳統(tǒng)的固態(tài)存儲(chǔ)器設(shè)備使用了許多的芯片空間來(lái)儲(chǔ)存信息，因而限制了芯片密度；并且它們對(duì)于編程而言是相對(duì)慢的。
用在PRAM設(shè)備中的相變材料包括硫族材料，例如鍺-碲(Ge-Te)和鍺-銻-碲(Ge-Sb-Te)相變合金。PRAM設(shè)備的制造包括化學(xué)機(jī)械拋光步驟，其中選擇性地去除硫族(chalcogenide)相變材料和平整化設(shè)備表面。
選擇性的硫族相變材料漿液的早期例子是Jong-Young?Kim的US專(zhuān)利No.7,682,976。這種漿液(slurry)改變組成來(lái)調(diào)節(jié)鍺-銻-碲(GST)和TEOS電介質(zhì)的去除速度。在Kim的配方中，提高研磨劑的濃度來(lái)增大TEOS的去除速度。在不存在唑(azole)抑制劑的條件下，增加過(guò)氧化氫來(lái)增大GST的去除速度。這種漿液調(diào)節(jié)GST相對(duì)于TEOS去除速度的選擇性，但是沒(méi)有公開(kāi)調(diào)節(jié)GST相對(duì)于氮化硅去除速度的去除速度。
因此存在的需求是相對(duì)于用于制造PRAM設(shè)備的氮化硅和電介質(zhì)能夠平衡地或者非選擇性地去除硫族相變合金的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)組合物。首先，選擇性的漿液提供可接受的相變合金去除速度以及最小的氮化硅和電介質(zhì)(dielectric)去除速度。然后，非選擇性的漿液必須提供相變合金去除速度和氮化硅以及電介質(zhì)去除速度平衡的組合，其滿(mǎn)足特定的結(jié)合方案。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種用于化學(xué)機(jī)械拋光硫族相變合金基材的化學(xué)機(jī)械拋光組合物，其包括：按重量百分比計(jì)，水、0.1-30的膠體二氧化硅研磨劑、至少一種拋光劑，所述拋光劑選自0.05-5的鹵素化合物、0.05-5的鄰苯二甲酸、0.05-5的鄰苯二甲酸酐及其鹽、衍生物以及其混合物，其中化學(xué)機(jī)械拋光組合物的pH是2到小于7。
本發(fā)明的另一方面是提供一種用于化學(xué)機(jī)械拋光硫族相變合金基材的化學(xué)機(jī)械拋光組合物，其包括：按重量百分比計(jì)，水、0.2-20的膠體二氧化硅研磨劑、至少一種拋光劑，所述拋光劑選自0.1-4的鹵素化合物、0.1-4的鄰苯二甲酸、0.1-4的鄰苯二甲酸酐及其鹽、衍生物以及其混合物，其中化學(xué)機(jī)械拋光組合物的pH是2.5到6。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光方法用于拋光含有硫族相變合金的基材。用在本發(fā)明方法中的化學(xué)機(jī)械拋光組合物提供了高的硫族相變合金去除速度以及對(duì)基材上的其它材料的平衡地或非選擇性的去除，例如那些在圖案化的半導(dǎo)體芯片中包含的材料。
適合用在本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光方法中的基材包括硫族相變合金。優(yōu)選地，硫族相變合金選自鍺-碲相變合金和鍺-銻-碲相變合金。更優(yōu)選地，硫族相變合金是鍺-銻-碲相變合金。
適合用在本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光方法中的基材任選地進(jìn)一步包括其它的材料，其選自磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼-磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)、旋涂玻璃(SOG)、由原硅酸四乙酯(TEOS)、等離子體增強(qiáng)的TEOS(PETEOS)、可流動(dòng)的氧化物(FOx)、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP-CVD)氧化物和氮化硅(例如，Si3N4)制備的電介質(zhì)。優(yōu)選地，基材進(jìn)一步包括選自Si3N4和TEOS的其它材料。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于羅門(mén)哈斯電子材料CMP控股股份有限公司，未經(jīng)羅門(mén)哈斯電子材料CMP控股股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110243540.9/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
