[發明專利]一種低鏑含量高性能燒結釹鐵硼的制備方法

有效

• 申請號: 201110242847.7
• 申請日: 2011-08-23
• 公開（公告）號: CN102280240A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 徐鋒;陳光;盧國文;朱海南;陸鳳琪;楊義恒;管宏勝;范從平
• 申請（專利權）人: 南京理工大學;江蘇晨朗電子集團有限公司
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;C22C38/00;C22C33/02;B22F9/04;B22F1/02;B22F3/16
• 代理公司: 南京理工大學專利中心 32203
• 代理人: 唐代盛

1.一種低鏑含量高性能燒結釹鐵硼的制備方法，其特征在于采用基于磁控濺射的粉體鍍膜工藝和粉末冶金工藝，步驟如下：

（1）配料后，利用真空電弧爐基于銅模鑄造工藝制備母合金鑄錠，或者利用真空感應速凝鑄片爐制備母合金速凝厚片，其中所配料的原子百分比組成為：Nd:8.0-14.0%，Fe:74.0-79.0%，B:5.5-7.0%，M:2.0-5.0%，R:0-5.5%，其余為不可避免的雜質，其中R為La、Ce、Pr、Sm、Gd、Ho、Sc、Y中的一種或以上，M為Al、Co、Cu、Ga、Ti、Zr、?Nb、Hf、Zn、V中的一種或以上；

（2）將母合金鑄錠或速凝厚片氫爆破碎后，在粉料中添加汽油、專用防氧化劑和潤滑劑，置于氣流磨中進一步破碎，制成平均粒度在3-6mm的粉末；

（3）將氣流磨制成的粉體，置于粉體顆粒鍍膜用的磁控濺射設備的滾動樣品臺上，以金屬Dy或Dy₂O₃作為靶材，磁控濺射系統抽真空后，在氬氣氛圍中將靶材成分濺射于滾動樣品臺內隨重力下落的粉體上，粉體表面濺射層的平均厚度在10-40nm；

（4）將濺鍍后的粉體混料分裝，在4-12T磁場以及5-40MPa壓力下取向成型，而后經過100-300Mpa冷等靜壓處理，再次壓型成坯件；

（5）將壓型坯置于真空熱處理爐中，在950-1150^oC燒結1-6h，而后進行回火熱處理得到低鏑含量高性能燒結釹鐵硼。

2.根據權利要求1所述的低鏑含量高性能燒結釹鐵硼的制備方法，其特征在于步驟（2）中添加的汽油、專用防氧化劑和潤滑劑占母合金鑄錠或速凝厚片氫爆破碎后的粉料重量比例分別為0.5-1%，0.5-3%和0.05-0.1%。

3.根據權利要求1所述的低鏑含量高性能燒結釹鐵硼的制備方法，其特征在于步驟（5）中的回火熱處理分兩次，其中第一次回火熱處理溫度為800-950^oC，時間為1-4h，第二次回火熱處理溫度為500-600^oC，時間為1-5h。