[發明專利]鍺硅HBT發射級光刻對準精度優化的方法

有效

• 申請號: 201110240918.X
• 申請日: 2011-08-22
• 公開（公告）號: CN102956477A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 王雷
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L23/544;G03F9/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 孫大為

1.一種鍺硅HBT發射級光刻對準精度優化的方法，其特征為，發射級對發射級開口層的光刻對準標記和疊對精準測量標識OVL?mark均放置在場區，工藝流程包括：

有源區光刻刻蝕產生發射級對發射級開口對準標記和疊對精準測量標識OVL?mark的襯底區；

SiO₂沉積與化學機械拋光CMP產生發射級對發射級開口對準標記和疊對精準測量標識OVL?mark的SiO₂材料構成的襯底；

基區BP刻蝕在發射級開口之前，且發射級開口膜層沉積在基區BP刻蝕之后；

發射級開口光刻刻蝕后追加的濕法刻蝕。

2.根據權利要求1所述的鍺硅HBT發射級光刻對準精度優化的方法，其特征為，發射級開口的介質膜組成為SiO₂+其他材料膜層，如SiN，Poly，SiON，SIC等單層膜，或多層膜的組合。

3.根據權利要求1或2所述的鍺硅HBT發射級光刻對準精度優化的方法，其特征為，上層介質膜與下層介質膜在濕法刻蝕中選擇比＞10。

4.根據權利要求1或2所述的鍺硅HBT發射級光刻對準精度優化的方法，其特征為，發射級開口的膜層總厚度＜500A。

5.根據權利要求1所述的鍺硅HBT發射級光刻對準精度優化的方法，其特征為，襯底SiO₂區的厚度為500A～10um，優選為1000～5000A。

6.根據權利要求1所述的鍺硅HBT發射級光刻對準精度優化的方法，其特征為，濕法刻蝕為SiO₂刻蝕，主要使用HF為刻蝕藥液。

7.根據權利要求1所述的鍺硅HBT發射級光刻對準精度優化的方法，其特征為，濕法刻蝕的刻蝕量＞300A，或保證刻蝕后發射級開口頂部到底部厚度＞500A。

8.根據權利要求1所述的鍺硅HBT發射級光刻對準精度優化的方法，其特征為，濕法刻蝕的刻蝕量為直接刻蝕到Si。