[發明專利]一種超薄玻璃基板上導電膜的制備方法

有效

• 申請號: 201110240380.2
• 申請日: 2011-08-19
• 公開（公告）號: CN102953037A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 周偉峰;薛建設
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C03C17/09;C03C17/245
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王朋飛;王加嶺

1.一種超薄玻璃基板上制備導電膜的方法，采用磁控濺射法，其特征在于，設定初始磁控濺射功率和/或初始氬氣流量進行導電膜的沉積，通過設置在所述超薄玻璃基板上的壓力傳感器檢測所述導電膜的膜層應力，根據檢測到的所述膜層應力實時調整磁控濺射功率和/或氬氣流量，使得所述膜層應力保持在不使所述超薄玻璃基板發生形變的范圍內；其中，所述超薄玻璃基板的厚度小于等于0.1mm。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述超薄玻璃基板的厚度為0.01～0.1mm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始磁控濺射功率為在普通玻璃基板上制備導電膜時磁控濺射功率的120～150％，所述初始氬氣流量為在普通玻璃基板上制備導電膜時氬氣流量的50～90％；所述普通玻璃基板的厚度為0.5～1.1mm。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述初始磁控濺射功率為在普通玻璃基板上制備導電膜時磁控濺射功率的125～130％，所述初始氬氣流量為在普通玻璃基板上制備導電膜時氬氣流量的70～80％。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據所述壓力傳感器檢測到的膜層應力，按照公式S_M＝A+B·P+C·F_Ar+DP·F_Ar來實時調整磁控濺射功率和/或氬氣流量；其中，S_M為膜層應力，單位MPa，P為磁控濺射功率，單位kw，F_Ar為氬氣流量，單位為sccm，A、B、C、D為經驗系數。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述壓力傳感器設置于超薄玻璃基板的下表面。

7.根據權利要求1-6任一項所述的方法，其特征在于，所述磁控濺射真空室的腔體壓強小于0.36Pa。

8.一種LCD基板，包括超薄玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上導電膜的至少一種采用權利要求1-7之一所述的方法制備。

9.根據權利要求8所述的LCD基板，其特征在于，所述導電膜為柵線、柵電極、源漏電極、數據線或像素電極。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述導電膜為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW、Cr或ITO單層膜，或AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr任意組合構成的復合膜。

11.一種液晶面板，其特征在于，所述液晶面板包括權利要求8-10任一項所述的LCD基板。

12.一種液晶顯示器件，其特征在于，所述液晶顯示器件包括權利要求11所述的液晶面板。