[發明專利]半導體裝置及其驅動方法

有效

• 申請號: 201110233033.7
• 申請日: 2011-08-05
• 公開（公告）號: CN102376714A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 井上廣樹;加藤清;松崎隆德;長塚修平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L21/8239;G11C11/34
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張金金;朱海煜

1.一種半導體裝置，包括：

第一線；

第二線；

第三線；

第四線；以及

存儲單元，該存儲單元包括第一晶體管、第二晶體管以及電容元件，

其中，所述第一晶體管為p溝道型晶體管，并包括第一柵電極、第一源電極、第一漏電極以及第一溝道形成區，

所述第二晶體管包括第二柵電極、第二源電極、第二漏電極以及第二溝道形成區，

所述第一柵電極、所述第二源電極和所述第二漏電極中的一方以及所述電容元件的一方電極彼此電連接而構成保持電荷的節點，

所述第一線、所述第一源電極和所述第一漏電極中的一方以及所述第二源電極和所述第二漏電極中的另一方彼此電連接，

所述第二線與所述第一源電極和所述第一漏電極中的另一方彼此電連接，

所述第三線與所述第二柵電極彼此電連接，

并且，所述第四線與所述電容元件的另一方電極彼此電連接。

2.一種半導體裝置，包括：

第一線；

第二線；

第三線；以及

存儲單元，該存儲單元包括第一晶體管和第二晶體管，

其中，所述第一晶體管為p溝道型晶體管，并包括第一柵電極、第一源電極、第一漏電極以及第一溝道形成區，

所述第二晶體管包括第二柵電極、第二源電極、第二漏電極以及第二溝道形成區，

所述第一柵電極與所述第二源電極和所述第二漏電極中的一方彼此電連接而構成保持電荷的節點，

所述第一線、所述第一源電極和所述第一漏電極中的一方以及所述第二源電極和所述第二漏電極中的另一方彼此電連接，

所述第二線與所述第一源電極和所述第一漏電極中的另一方彼此電連接，

并且，所述第三線與所述第二柵電極彼此電連接。

3.一種半導體裝置，包括：

甲第一線和乙第一線；

第二線；

第三線；

第四線；以及

第一存儲單元和第二存儲單元，該第一存儲單元和該第二存儲單元分別包括：

第一晶體管；

第二晶體管；以及

電容元件，

其中，所述第一晶體管為p溝道型晶體管，并包括第一柵電極、第一源電極、第一漏電極以及第一溝道形成區，

所述第二晶體管包括第二柵電極、第二源電極、第二漏電極以及第二溝道形成區，

所述第一柵電極、所述第二源電極和所述第二漏電極中的一方以及所述電容元件的一方電極彼此電連接而構成保持電荷的節點，

所述第二線與所述第一源電極和所述第一漏電極中的一方彼此電連接，

所述第三線與所述第二柵電極彼此電連接，

所述第四線與所述電容元件的另一方電極彼此電連接。

所述第一存儲單元中的所述第一源電極和所述第一漏電極中的另一方及所述第二源電極和所述第二漏電極中的另一方電連接到所述甲第一線，

并且，所述第二存儲單元中的所述第一源電極和所述第一漏電極中的另一方及所述第二源電極和所述第二漏電極中的另一方電連接到所述乙第一線。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一溝道形成區包含與所述第二溝道形成區不同的半導體材料。

5.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中所述第一溝道形成區包含與所述第二溝道形成區不同的半導體材料。

6.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述第一溝道形成區包含與所述第二溝道形成區不同的半導體材料。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第二溝道形成區包含氧化物半導體。

8.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中所述第二溝道形成區包含氧化物半導體。

9.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述第二溝道形成區包含氧化物半導體。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第二晶體管設置為與所述第一晶體管的至少一部分重疊。

11.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中所述第二晶體管設置為與所述第一晶體管的至少一部分重疊。

12.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述第二晶體管設置為與所述第一晶體管的至少一部分重疊。