[發(fā)明專利]嵌入式半導(dǎo)體電源模塊及封裝

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110232189.3
• 申請日: 2011-08-10
• 公開（公告）號: CN102931169A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉勇;錢秋曉;劉玉敏
• 申請（專利權(quán)）人: 快捷半導(dǎo)體(蘇州)有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L23/31;H01L25/04;H01L25/16
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種半導(dǎo)體芯片封裝，包括：

第一模塊，具有第一主表面、第二主表面、設(shè)置在其第一主表面處的多個第一互連連接盤、設(shè)置在其第二主表面處的多個第二互連連接盤、設(shè)置在所述第一主表面和所述第二主表面之間的第一半導(dǎo)體芯片、設(shè)置在所述第一主表面和所述第二主表面之間以及所述第一半導(dǎo)體芯片周圍的第一電絕緣材料層、設(shè)置在所述第一層和所述第一主表面之間以及所述第一半導(dǎo)體芯片之上的第二電絕緣材料層、貫穿所述第二電絕緣材料層設(shè)置并電耦接至所述第一半導(dǎo)體芯片的多個導(dǎo)電區(qū)的多個第一導(dǎo)電通孔，以及貫穿所述第一電絕緣材料層和所述第二電絕緣材料層設(shè)置并電耦接至至少一些所述第二互連連接盤的多個第二導(dǎo)電通孔，其中，至少一個第一導(dǎo)電通孔電耦接至至少一個第二導(dǎo)電通孔，且其中至少一個第二導(dǎo)電通孔電耦接至至少一個第一互連連接盤；以及

第二模塊，具有第一主表面、第二主表面、設(shè)置在所述第二模塊的第一主表面和第二主表面之間的第一電子組件、設(shè)置在所述第二模塊的第一主表面和第二主表面之間以及所述第一電子組件周圍的第三電絕緣材料層，其中，所述第二模塊設(shè)置在所述第一模塊之上，其第一主表面面對所述第一模塊的第一主表面，且其中，所述第一電子組件通過所述第一模塊的至少一個第一互連連接盤電耦接至所述第一半導(dǎo)體芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其中，所述至少一個第一導(dǎo)電通孔通過設(shè)置在所述第一模塊的第一主表面上的電信號跡線電耦接至所述至少一個第二導(dǎo)電通孔。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其中，所述第一模塊還包括：

第二半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在其第一主表面和第二主表面之間，所述第一電絕緣材料層還設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體芯片的周圍，且所述第二電絕緣材料層還設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體芯片之上；

多個第三導(dǎo)電通孔，貫穿所述第二電絕緣材料層設(shè)置并電耦接至所述第二半導(dǎo)體芯片的多個導(dǎo)電區(qū)；以及

電信號跡線，設(shè)置在所述第一模塊的第一主表面上，并電耦接至第一導(dǎo)電通孔和第三導(dǎo)電通孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其中，所述第一互連連接盤和所述第二互連連接盤具有40微米或更小的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其中，所述第一電絕緣材料層包括用液體樹脂浸漬的纖維板。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，還包括設(shè)置在所述第二模塊的第二主表面處以及所述第一電子組件之上的金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝，還包括：

多個第三互連連接盤，設(shè)置在所述第二模塊的第一主表面處，所述第一電子組件電耦接到至少一個所述第三互連連接盤；以及

多個導(dǎo)電粘合劑體，設(shè)置在多個所述第三互連連接盤和多個所述第一互連連接盤之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其中，所述導(dǎo)電粘合劑包括具有第一熔融溫度的焊料，且其中所述第一電子組件通過具有第二熔融溫度的焊接材料附接至至少一個所述第三互連連接盤，所述第二熔融溫度高于所述第一熔融溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其中，至少一個所述第三互連連接盤為虛擬連接盤，其不電耦接至所述第二模塊中的任一組件。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其中，所述第二模塊還包括：

第二電子組件，設(shè)置在其第一主表面和第二主表面之間，所述第三電絕緣材料層設(shè)置在所述第二電子組件的周圍；以及

電信號跡線，設(shè)置在所述第二模塊的第一主表面處并電耦接至所述第一電子組件和所述第二電子組件。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其中，第二模塊還包括：

第四電絕緣材料層，設(shè)置在所述第三電絕緣材料層和所述第二模塊的第二主表面之間以及所述第一電子組件之上；以及

金屬層，設(shè)置在所述第二模塊的第二主表面處和所述第一電子組件之上。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體芯片封裝，其中，所述第二模塊還包括：

所述第三電絕緣材料層中的開口，所述開口位于所述第一電子組件之上；以及

電絕緣材料體，設(shè)置在所述開口中，所述電絕緣材料體和所述第三層具有不同的材料成分。