[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110230893.5
• 申請日: 2011-08-12
• 公開（公告）號: CN102931184A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳東郁
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/092;H01L29/06;H01L21/311;H01L21/762;G03F7/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

基板，該基板上定義至少有一溝槽區(qū)域，該溝槽區(qū)域具有：

兩個不相鄰的第一區(qū)域，以及

第二區(qū)域，位于該兩個第一區(qū)域之間且與該兩個第一區(qū)域相鄰；

第一物質(zhì)層，設(shè)置于該基板的該溝槽區(qū)域以外的區(qū)域；以及

第二物質(zhì)層，設(shè)置于該第二區(qū)域中，該第二物質(zhì)層與該第一物質(zhì)層齊高。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一物質(zhì)層以及該第二物質(zhì)層包括不同介電材料。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二區(qū)域包括一組彼此平行的對邊。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二物質(zhì)層僅設(shè)置于該第二區(qū)域中。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第二物質(zhì)層還設(shè)置于該溝槽區(qū)域以外的區(qū)域，并延伸至另一溝槽區(qū)域的第二區(qū)域。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該兩個第一區(qū)域為梯形。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該溝槽區(qū)域為矩形。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括第三物質(zhì)層，設(shè)置于該兩個第一區(qū)域中，且該第三物質(zhì)層與該第一物質(zhì)層以及該第二物質(zhì)層齊高。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一物質(zhì)層以及該第三物質(zhì)層包括不同介電材料，該第二物質(zhì)層包括外延硅。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一物質(zhì)層以及該第二物質(zhì)層包括不同介電材料，該第三物質(zhì)層包括導(dǎo)電材料。

11.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

提供基板，其中該基板上定義有溝槽區(qū)域，該溝槽具有兩個不相鄰的第一區(qū)域，以及具有位于該兩個第一區(qū)域之間且與該兩個第一區(qū)域相鄰的第二區(qū)域；

于該基板上形成第一物質(zhì)層，接著移除位于該溝槽區(qū)域中的該第一物質(zhì)層以形成第一圖案化物質(zhì)層；以及

于該基板上的該第二區(qū)域中形成第二圖案化物質(zhì)層，其中該第一圖案化物質(zhì)層以及該第二圖案化物質(zhì)層齊高。

12.如權(quán)利要求11所述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其中該第二區(qū)域包括一組彼此平行的對邊。

13.如權(quán)利要求11所述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其中該第一圖案化物質(zhì)層以及該第二圖案化物質(zhì)層具有蝕刻選擇比。

14.如權(quán)利要求11所述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其中先形成該第一圖案化物質(zhì)層，再形成該第二圖案化物質(zhì)層。

15.如權(quán)利要求11所述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其中先形成該第二圖案化物質(zhì)層，再形成該第一圖案化物質(zhì)層。

16.如權(quán)利要求11所述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，在形成該第一圖案化物質(zhì)層以及該第二圖案化物質(zhì)層后，還包括進行蝕刻工藝，以該第一圖案化物質(zhì)層以及該第二圖案化物質(zhì)層為掩模來蝕刻該基板。

17.如權(quán)利要求11所述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，在形成該第一圖案化物質(zhì)層以及該第二圖案化物質(zhì)層后，還包括形成第三物質(zhì)層于該兩個第一區(qū)域中，其中該第三物質(zhì)層與該第一物質(zhì)層以及該第二物質(zhì)層齊高。

18.如權(quán)利要求17所述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其中該第一物質(zhì)層以及該第二物質(zhì)層包括不同介電材料，該第三物質(zhì)層包括導(dǎo)電層。

19.如權(quán)利要求11所述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，在形成該第一圖案化物質(zhì)層后，以及形成該第二圖案化物質(zhì)層之前，還包括形成第三物質(zhì)層于該兩個第一區(qū)域中，其中該第三物質(zhì)層與該第一物質(zhì)層齊高。

20.如權(quán)利要求19所述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其中該第一物質(zhì)層以及該第三物質(zhì)層包括不同介電材料，該第二物質(zhì)層包括外延硅。

21.如權(quán)利要求11所述的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其中形成該第一圖案化物質(zhì)層包括使用第一光掩模圖形，形成該第二圖案化物質(zhì)層包括使用第二光掩模圖形，該第一光掩模圖形與該第二光掩模圖形垂直。