[發明專利]拼合磁體揚聲器

有效

• 申請號: 201110230749.1
• 申請日: 2011-08-12
• 公開（公告）號: CN102387451A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 本尼.L.達諾維
• 申請（專利權）人: 哈曼國際工業有限公司
• 主分類號: H04R9/06
• 分類號: H04R9/06;H04R9/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 丁藝;沙捷

1.一種揚聲器的磁體構件，包括：

包括第一芯部表面和第二芯部表面的芯部；

耦接到所述第一芯部表面的第一磁體；

耦接到所述第二芯部表面的第二磁體，其中所述第一磁體和第二磁體被定位成使得所述第一磁體的極性與所述第二磁體的極性對準相同的方向，其中所述芯部的高度大于所述第一磁體與所述第二磁體的組合高度；

耦接到所述第一磁體的磁體外殼；以及

耦接到所述第二磁體的芯帽，其中所述磁體外殼和所述芯帽被配置成形成音圈可放置于其中的音圈間隙。

2.如權利要求1所述的磁體構件，其中所述磁體外殼包括底部和從該底部延伸的伸出部，所述底部被耦接到所述第一磁體，所述伸出部與所述芯帽間隔開，以在所述伸出部與所述芯帽之間形成所述音圈間隙。

3.如權利要求1所述的磁體構件，其中所述芯部、所述第一磁體、所述第二磁體和所述芯帽形成圍繞所述磁體構件的中心軸的軸向組件，該軸向組件的大小被調整成能安裝在所述磁體外殼內。

4.如權利要求1所述的磁體構件，其中所述音圈間隙僅為單個音圈間隙，并且所述芯帽和所述磁體外殼被配置成將所述第一和第二磁體的磁通量集中成基本在所述單個音圈間隙內。

5.如權利要求4所述的磁體構件，其中所述單個音圈間隙在所述磁體外殼的一端處形成。

6.如權利要求5所述的磁體構件，其中比所述第一磁體更靠近所述單個音圈間隙的所述第二磁體的磁功率大于所述第一磁體。

7.如權利要求1所述的磁體構件，其中所述第一磁體和所述第二磁體的組合高度約為所述芯部的高度的50％。

8.如權利要求1所述的磁體構件，其中所述芯部具有外周邊，該外周邊的一部分比所述芯部的外周邊的另一部分更靠近所述磁體外殼。

9.如權利要求1所述的磁體構件，進一步包括具有至少一個磁體的屏蔽磁體組件，該屏蔽磁體組件被定位成能包含所述磁體構件的磁通量，所述至少一個磁體被耦接到所述芯帽，其中所述至少一個磁體被定位成使得所述至少一個磁體的極性與所述第一和第二磁體中的每一個的極性對準相反的方向。

10.如權利要求9所述的磁體構件，其中所述屏蔽磁體組件進一步包括：

具有第一去磁芯部表面和第二去磁芯部表面的去磁芯部；

被耦接到所述芯帽的第一屏蔽磁體和被耦接到所述第一去磁芯部表面的第二表面；以及

被耦接到所述第二去磁芯部表面的第二屏蔽磁體，其中所述第一和第二屏蔽磁體被定位成使得所述第一屏蔽磁體的極性與所述第二屏蔽磁體的極性對準相同的方向，并且所述第一和第二屏蔽磁體的極性與所述磁體構件的所述第一和第二磁體的極性相反。

11.如權利要求10所述的磁體構件，其中所述屏蔽磁體組件進一步包括被耦接到所述第二屏蔽磁體的頂帽。

12.一種揚聲器的磁體構件，其包括：

至少一個磁體；

被耦接到所述至少一個磁體的磁體外殼；

被耦接到所述至少一個磁體的芯帽，其中所述磁體外殼和所述芯帽被配置成形成音圈可放置于其中的音圈間隙；

被定位成能包含所述磁體構件的磁通量的屏蔽磁體組件，所述屏蔽磁體組件包括具有第一去磁芯部表面和第二去磁芯部表面的去磁芯部、被耦接到所述芯帽的第一屏蔽磁體和耦接到所述第一去磁芯部表面的第二表面，以及被耦接到所述第二去磁芯部表面的第二屏蔽磁體，其中所述第一和第二屏蔽磁體被定位成使得所述第一屏蔽磁體的極性與所述第二屏蔽磁體的極性對準相同的方向，且所述第一和第二屏蔽磁體的極性與所述磁體構件的所述至少一個磁體的極性相反。

13.如權利要求12所述的磁體構件，其中所述屏蔽磁體組件進一步包括耦接到所述第二磁體的頂帽。

14.如權利要求12所述的磁體構件，其中所述去磁芯部具有外周邊，該外周邊具有環形凹口。

15.如權利要求12所述的磁體構件，其中所述屏蔽磁體組件被定位在所述磁體外殼的外部。

16.如權利要求12所述的磁體構件，其中所述去磁芯部的高度大于所述第一屏蔽磁體和所述第二屏蔽磁體的組合高度。