[發(fā)明專利]一種高穩(wěn)定性射頻功率放大器單片集成電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110229831.2 | 申請日： | 2011-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN102931922A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郝明麗 | 申請（專利權(quán)）人： | 沈陽中科微電子有限公司 |
| 主分類號： | H03F1/08 | 分類號： | H03F1/08;H03F3/195;H03F3/213 |
| 代理公司： | 沈陽亞泰專利商標(biāo)代理有限公司 21107 | 代理人： | 史旭泰 |
| 地址： | 110179 遼寧省沈陽市渾南新區(qū)*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 穩(wěn)定性 射頻 功率放大器 單片 集成電路 | ||
1.一種高穩(wěn)定性射頻功率放大器單片集成電路，包括射頻功率晶體管（102），其特征在于射頻功率晶體管（102）的輸入端串接有片內(nèi)平面螺旋電感（101）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高穩(wěn)定性射頻功率放大器單片集成電路，其特征在于所述片內(nèi)平面螺旋電感（101）一端與射頻功率晶體管（102）的輸入端相連，另一端與片內(nèi)輸入匹配電路端口相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高穩(wěn)定性射頻功率放大器單片集成電路，其特征在于所述片內(nèi)平面螺旋電感（101）一端與射頻功率晶體管（102）的輸入端相連，另一端分別與第一電容一端、第二電容一端相連，第一電容另一端接地，第二電容另一端為信號輸入端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高穩(wěn)定性射頻功率放大器單片集成電路，其特征在于所述片內(nèi)平面螺旋電感（101）的寬度為8um～12?um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高穩(wěn)定性射頻功率放大器單片集成電路，其特征在于所述片內(nèi)螺旋電感為方形結(jié)構(gòu)或圓形結(jié)構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于沈陽中科微電子有限公司，未經(jīng)沈陽中科微電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110229831.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
