[發明專利]反應腔室控溫裝置及應用該控溫裝置的半導體處理設備

無效

• 申請號: 201110227394.0
• 申請日: 2011-08-09
• 公開（公告）號: CN102925873A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 張慧
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/458;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張天舒;陳源

1.一種反應腔室控溫裝置，用于控制半導體處理設備的反應腔室的溫度，其特征在于包括冷卻裝置，所述冷卻裝置環繞在所述反應腔室的外圍或者在對反應腔室進行降溫時移至反應腔室的外圍。

2.如權利要求1所述的反應腔室控溫裝置，其特征在于，還包括與冷卻裝置相連的位置調整裝置，所述位置調整裝置可調整所述冷卻裝置與所述反應腔室之間的相對位置，以便在反應腔室降溫時使該冷卻裝置環繞在所述反應腔室的外圍而對反應腔室進行降溫。

3.如權利要求1所述的反應腔室控溫裝置，其特征在于，所述冷卻裝置包括冷卻管和冷卻腔中的至少一種。

4.如權利要求3所述的反應腔室控溫裝置，其特征在于，所述冷卻管包括多個環繞所述反應腔室的環形管，且所述多個環形管沿反應腔室軸向層疊設置。

5.如權利要求3所述的反應腔室控溫裝置，其特征在于，所述冷卻管包括多個沿反應腔室軸向延伸的直管，且所述多個直管沿所述反應腔室周向排列而環繞在所述反應腔室的外圍。

6.如權利要求3所述的反應腔室控溫裝置，其特征在于，所述冷卻管包括至少一個環繞在所述反應腔室外圍并沿所述反應腔室軸向延伸的螺旋管。

7.如權利要求6所述的反應腔室控溫裝置，其特征在于，所述螺旋管的數量為二個以上，且所述二個以上螺旋管彼此嵌套設置。

8.如權利要求3所述的反應腔室控溫裝置，其特征在于，所述冷卻管包括至少一個環繞所述反應腔室并沿所述反應腔室軸向延伸的蛇形管。

9.如權利要求8所述反應腔室控溫裝置，其特征在于，所述蛇形管的數量為二個以上，且所述二個以上蛇形管彼此嵌套設置。

10.如權利要求3所述的反應腔室控溫裝置，其特征在于，所述冷卻管包括二個橫截面為半圓形并沿反應腔室軸向延伸的蛇形管，且所述二個蛇形管環繞反應腔室對稱設置。

11.如權利要求3所述的反應腔室控溫裝置，其特征在于，所述冷卻管包括二個以上橫截面為弧形并沿反應腔室軸向延伸的蛇形管，且所述二個以上蛇形管環繞反應腔室設置。

12.如權利要求3所述的反應腔室控溫裝置，其特征在于，所述冷卻腔由底壁、頂壁及橫截面為圓形并沿反應腔室軸向延伸的第一側壁和第二側壁圍成，所述第一側壁圍成的中空部分可容納所述反應腔室。

13.如權利要求3所述的反應腔室控溫裝置，其特征在于，所述冷卻腔的數量為二個以上，每個所述冷卻腔由底壁、頂壁及橫截面為半圓形或弧形并沿反應腔室軸向延伸的第一側壁和第二側壁圍成，且所述二個以上的冷卻腔環繞所述反應腔室設置。

14.如權利要求12或13所述的反應腔室控溫裝置，其特征在于，還包括冷卻管，所述冷卻管位于所述冷卻腔內，且設置在冷卻腔的靠近反應腔室的側壁上。

15.如權利要求3所述的反應腔室控溫裝置，其特征在于，所述冷卻管和冷卻腔的軸向尺寸大于或等于所述反應腔室的軸向尺寸。

16.如權利要求2所述的反應腔室控溫裝置，其特征在于，所述位置調整裝置包括升降裝置，用以在所述反應腔室升溫過程中使所述冷卻裝置遠離反應腔室，而在所述反應腔室降溫過程中使所述冷卻裝置環繞所述反應腔室。

17.一種半導體處理設備，包括反應腔室，其特征在于，在所述反應腔室外部設置有如權利要求1-17任意一項所述的控溫裝置，在所述反應腔室內部設置有托盤裝置。

18.如權利要求17所述的半導體處理設備，其特征在于，所述托盤裝置包括多個沿反應腔室軸向層疊設置的托盤，并且相鄰托盤之間具有一定間距。

19.如權利要求18所述的半導體處理設備，其特征在于，在所述多個層疊設置的托盤中，除最底層的托盤外，在各托盤的背面設置第一凸起部，并在與背面設置有第一凸起部的各托盤相對設置的托盤的正面設置與所述第一凸起部相配合第二凹進部；和/或

在所述多個層疊設置的托盤中，除最底層的托盤外，在各托盤的背面設置第一凹進部，并在與背面設置有第一凹進部的各托盤相對設置的托盤的正面設置與所述第一凹進部相配合第二凸起部；并且

借助于所述第一凸起部和第二凹進部之間的配合和/或所述第二凸起部和第一凹進部之間的配合，而將相鄰托盤彼此保持一定間距地疊置在一起。