[發明專利]一種模擬電路中的高壓轉低壓電路

有效

• 申請號: 201110224809.9
• 申請日: 2011-08-08
• 公開（公告）號: CN102931833A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 崔文兵;周平
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H02M3/10
• 分類號: H02M3/10;H02M3/158
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種模擬電路中的高壓轉低壓電路，其特征是，包括：

一電阻R1，其一端連接輸入端，另一端連接齊納二極管D1的負極、PMOS管T5的源極、PMOS管T6的源極、PMOS管T7的源極、PMOS管T15的源極、PMOS管T16的源極和PMOS管T17的源極；

一鉗位保護電路，包括：齊納二極管D1和二極管D2，齊納二極管D1的正極連接二極管D2的正極，二極管D2的負極連接地節點；

一正溫度系數電流產生電路，包括：PMOS管T5、PMOS管T6、PMOS管T7、雙極PNP晶體管T1、雙極PNP晶體管T2、NMOS管T3、NMOS管T4和電阻R2；

PMOS管T5的柵極、PMOS管T6的柵極和PMOS管T7的柵極相互連接；

PMOS管T5的漏極與NMOS管T3的柵極連接；

MOS管T3的柵極與其漏極短接，NMOS管T3與NMOS管T4管共用柵極，NMOS管T3的源極與PNP晶體管T1的發射極連接；

PMOS管T6的柵極與其漏極短接，并與NMOS管T4的漏極連接，PMOS管T4的源極通過電阻R2連接PNP晶體管T2的發射極；

PMOS管T7的漏極與PMOS管T17的漏極、NMOS管T10的柵極和電阻R3的一端連接，電阻R3其另外一端連接地節點；

PNP晶體管T1與PNP晶體管T2共基極，PNP晶體管T1的基極、PNP晶體管T2的基極與其各自的集電極短接并連接地節點；

一負溫度系數電流產生電路，包括：PMOS管T15、PMOS管T16、PMOS管T17、雙極PNP晶體管T11、NMOS管T13、NMOS管T14和電阻R12；

PMOS管T15的柵極、PMOS管T16的柵極和PMOS管T17的柵極連接；

PMOS管T15的漏極與NMOS管T13的柵極連接；

NMOS管T13的柵極與其漏極短接，NMOS管T13與NMOS管T14共柵極，NMOS管T13的源極與PNP晶體管T11的發射極連接；

PMOS管T16的柵極與其漏極短接，并與NMOS管T14的漏極連接，NMOS管T14的源極通過電阻R12連接地節點；

PMOS管T17的漏極通過電阻R3連接地節點；

PNP晶體管T11的基極與其集電極短接，連接地節點；

一緩沖電路結構，包括：電阻R4與高壓NMOS管T10；

NMOS管T10的柵極連接電阻R3的一端，電阻R3其另外一端連接地節點，NMOS管T10的漏極通過電阻R4連接輸入端，NMOS管T10的源極形成輸出端，并通過負載連接地節點。

2.如權利要求1所述的高低電壓轉換電路，其特征是：電阻R1其一端連接輸入端，電阻R1其另一端連接二極管D2的正極，二極管D2的負極連接齊納二極管D1的負極，齊納二極管D1的正極連接地節點。