[發明專利]一種柵源側臺保護的晶體管功率器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110224494.8
• 申請日: 2011-08-06
• 公開（公告）號: CN102254943A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 王新
• 申請（專利權）人: 深圳市穩先微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種柵源側臺保護的晶體管功率器件，包括硅片、柵氧化層、多晶硅層、柵電極、源電極、漏電極和柵源絕緣層，其特征在于；

所述柵源絕緣層包括二氧化硅層、第一氮化硅層、第二氮化硅層和熱氧化側臺層；

所述二氧化硅層沉積在所述多晶硅層上，并且，所述第一氮化硅層設置在所述二氧化硅上，作為所述多晶硅的上保護層；

所述第二氮化硅層設置在所述多晶硅層的下表面，作為所述多晶硅層的下保護層；

所述熱氧化側臺層設置在所述柵電極和所述源電極之間，用于側臺隔離所述柵電極和所述源電極。

2.根據權利要求1所述的晶體管功率器件，其特征在于，所述晶體管功率器件為IGBT功率器件。

3.根據權利要求2所述的晶體管功率器件，其特征在于，所述多晶硅層的厚度為9000-12000埃，所述二氧化硅層的厚度為4000-7000埃，所述上保護層的厚度為400-800埃，所述下保護層的厚度為600-1000埃。

4.根據權利要求3所述的晶體管功率器件，其特征在于，所述多晶硅層的厚度為10000埃，所述二氧化硅層的厚度為5000埃，所述上保護層的厚度為600埃，所述下保護層的厚度為800埃。

5.根據權利要求4所述的晶體管功率器件，其特征在于，所述源電極的源區還包括一N+導電區，用于形成所述源電極的導電窗口。

6.一種柵源側臺保護的晶體管功率器件的制造方法，其特征在于，

包括如下步驟：

A、在所述硅片熱氧化生長柵氧，形成所述柵氧化層；

B、生長第一氮化硅作為所述多晶硅層的下保護層；

C、生長多晶硅層，并熱氧化所述多晶硅層，沉積二氧化硅層；

D、生長第二氮化硅作為所述多晶硅的上保護層；

E、光刻，形成所述柵電極，并且，熱氧化多晶硅層形成隔離所述柵電極和所述源電極的熱氧化側臺層；

F、形成所述源電極和所述漏電極；

G、形成所述晶體管功率器件。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在，步驟A具體執行：采用900-1100度的熱氧化溫度，熱氧化生長柵氧，形成所述柵氧化層。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在，步驟A具體執行：采用1000度的熱氧化溫度，熱氧化生長柵氧，形成所述柵氧化層。

9.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在，步驟F之后，還執行步驟F1：注入N+形成所述源電極源區的N+導電區。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在，步驟F1之后，還執行步驟F2：光刻及腐蝕掉源電極中源區的二氧化硅、氮化硅和表面N+導電區，形成所述源電極的導電窗口。