[發明專利]一種高維持電壓N型靜電防護半導體器件

無效

• 申請號: 201110224198.8
• 申請日: 2011-08-07
• 公開（公告）號: CN102280472A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 孫偉鋒;劉斯揚;魏守明;錢欽松;陸生禮;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 湯志武

1.一種高維持電壓N型靜電防護半導體器件，包括：半導體襯底（9），在半導體襯底（9）上面設置有埋氧化層（8），在埋氧化層（8）上設有N型摻雜半導體區（7），在N型摻雜半導體區（7）上設有P阱（6）和N型漏區（10），在P阱（6）上設有N型源區（11）和P型接觸區（13），在P阱（6）的表面設有柵氧化層（3）且柵氧化層（3）自P阱（6）延伸至N型摻雜半導體區（7），在P阱（6）表面的N型源區（11）、P型接觸區（13）和柵氧化層（3）的以外區域及N型摻雜半導體區（7）表面的N型漏區（10）以外區域設有場氧化層（1），在柵氧化層（3）的表面設有多晶硅柵（4）且多晶硅柵（4）延伸至場氧化層（1）的表面，在場氧化層（1）、P型接觸區（13）、N型源區（11）、多晶硅柵（4）及N型漏區（10）的表面設有氧化層（5），在N型源區（11）、P型接觸區（13）、多晶硅柵（4）和N型漏區（10）上分別連接有金屬層（2），其特征在于在P阱（6）還內設有P型摻雜半導體區(121)且P型摻雜半導體區（121）位于N型源區（11）和柵氧化層（3）的下方。

2.根據權利要求1所述的一種高維持電壓N型靜電防護半導體器件，其特征在于P型摻雜半導體區(121)下表面距離柵氧化層（3）下表面在0.5微米到1微米之間。

3.根據權利要求1所述的一種高維持電壓N型靜電防護半導體器件，其特征在于P型摻雜半導體區(121)下表面距離N型源區（11）下表面在0.2微米到0.5微米之間。

4.根據權利要求3所述的一種高維持電壓N型靜電防護半導體器件，其特征在于P型摻雜半導體區(121)的左表面與N型源區（11）右表面之間的水平距離在0.5微米到1微米之間。

5.根據權利要求3所述的一種高維持電壓N型靜電防護半導體器件，其特征在于P型摻雜半導體區(121)的右表面與P阱（6）右表面之間的水平距離在1微米到2微米之間。

6.根據權利要求1所述的一種高維持電壓N型靜電防護半導體器件，其特征在于P型摻雜半導體區(121)的注入劑量在2E12/????????????????????????????????????????????????到8E12/之間。