[發明專利]一種具有Sn焊盤的LED芯片的制備方法在審
| 申請號： | 202010530862.0 | 申請日： | 2020-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN111799358A | 公開（公告）日： | 2020-10-20 |
| 發明（設計）人： | 王思博;廖漢忠 | 申請（專利權）人： | 淮安澳洋順昌光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 遼寧鴻文知識產權代理有限公司 21102 | 代理人： | 楊植 |
| 地址： | 223001*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 sn led 芯片 制備 方法 | ||
1.一種具有Sn焊盤的LED芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、提供一襯底，依次在襯底上制作N型半導體層、發光層和P型半導體層，形成LED晶圓；
S2、使用光刻膠形成MESA圖層，以MESA圖層為掩模對LED晶圓進行ICP刻蝕，形成N型半導體臺面并去除光刻膠；
S3、在LED晶圓上沉積電流阻擋層CBL，使用光刻膠進行CBL光刻，在光刻膠層上形成CBL圖層；對CBL圖層進行電流阻擋層刻蝕，形成與CBL圖層相對應的電流阻擋層，并去除光刻膠；
S4、在LED晶圓上沉積ITO透明導電層，使用光刻膠進行ITO光刻，形成所需ITO圖層，以ITO圖層為掩模對ITO透明導電層進行ITO刻蝕，去除光刻膠漏出底層ITO透明導電層；
S5、制作隔離槽，使用光刻膠進行Isolation光刻，在光刻膠上形成Isolation圖層，以Isolation圖層為掩模進行ICP刻蝕，刻蝕到襯底上形成隔離槽并去除光刻膠；
S6、使用光刻膠先進行光刻，沉積制作P電極和N電極再去除光刻膠；
S7、沉積SiO2及Ti3O5交替組成的DBR布拉格反射層PV，DBR厚度為2～6um；
S8、使用光刻膠進行PV光刻，在光刻膠上形成PV圖層，以PV圖層為掩模進行ICP刻蝕，刻蝕到PN電極層，去除PV光刻后的光刻膠；
S9、使用光刻膠進行焊盤層光刻，沉積PN焊盤，去除光刻膠；
S10、使用鋼網進行錫焊盤制作：
(1)根據所需的錫焊盤尺寸使用激光切割或電鑄制作磨具鋼網，鋼網開口的設計邊緣小于芯片焊盤2～15um，便于刮刷后錫膏流動；
(2)將鋼網與芯片焊盤進行對準，對準后使用刮刀刮刷錫膏，錫膏的選擇與鋼網對應，鋼網的開口尺寸和厚度都大于錫膏粉徑的三倍；刮刷錫膏的速度在25～150mm/sec，錫厚度在20um～150um之間；
(3)刮刷完成后進行鋼網脫離，脫離速度5～20mm/sec完成刮刷工藝；
(4)刮刷完成后進行回流焊回流工藝，溫度設定在220～270℃，回流采用常壓或高真空純氮環境，回流結束后表面呈現弧狀形貌；
(5)對于需求為錫焊盤表面為平面形貌的，進行正面研磨，無需平面形貌的無需經過此工藝；
以上為錫膏焊盤的制作過程，制作完成后進行切割制作成芯粒；
S11、芯粒使用時，在相應基板上涂布助焊劑，芯粒放在相應位置后進行回流，回流溫度在220℃～270℃之間。
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