[發(fā)明專利]雙溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110218574.2
• 申請日: 2011-08-01
• 公開（公告）號: CN102280405A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高超
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種雙溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，包括如下步驟：

提供包括襯底硅，掩埋絕緣層和頂層硅的絕緣體上硅，在所述的頂層硅上依次形成襯墊層，硬掩膜層和第二掩膜層；

以圖案化第二掩膜層為掩膜，刻蝕硬掩膜層至暴露出襯墊層，形成第二開口；

在所述硬掩膜層上以及第二開口內(nèi)形成第一掩膜層，并曝光，顯影形成第一掩膜層圖案，以所述第一掩膜層圖案為掩膜，刻蝕硬掩膜層、襯墊層和部分頂層硅至特定深度，形成第一開口，第一開口區(qū)域與第二開口區(qū)域部分重疊；

去除所述第一掩膜層圖案；

繼續(xù)刻蝕所述第一開口暴露出的頂層硅至掩埋絕緣層，形成第一溝槽，刻蝕第二開口也同時被刻蝕，暴露出襯墊層和頂層硅，形成第二溝槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成第一開口后，第一開口對應(yīng)位置剩余的頂層硅的厚度應(yīng)為第二溝槽的最終深度，為400埃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，刻蝕硬掩膜層至暴露出襯墊層，形成第二開口的刻蝕氣體包括CHF₃，Cl₂。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，刻蝕硬掩膜層，襯墊層和部分頂層硅形成第一開口的刻蝕氣體包括CHF₃和Cl₂，刻蝕SiN的氣體對SiN:Si的刻蝕選擇比大于2。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，刻蝕第一開口至掩埋絕緣層，形成第一溝槽，同時刻蝕第二開口至暴露出頂層硅，形成第二溝槽的刻蝕氣體包括CHF₃和Cl₂。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙溝槽隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述的第一溝槽的深度為1000埃，所述的第二溝槽的深度為400埃。