[發明專利]鍍膜設備的氣體分配裝置無效
| 申請號: | 201110217795.8 | 申請日: | 2011-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN102912321A | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發明(設計)人: | 黃俊凱 | 申請(專利權)人: | 亞樹科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人: | 張雅軍 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鍍膜 設備 氣體 分配 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種分配裝置,特別是涉及一種運用在鍍膜設備上,并可將氣體均勻的送到鍍膜設備的反應腔室內的氣體分配裝置。
背景技術
在以往的薄膜制程中,各種的原料及氣體會被送入反應室內,有些氣體只是做為轟擊靶材的介質,有些氣體會和原料反應,并且沉積在基板上,其中會和原料反應的反應性氣體,其送入反應腔室的均勻度會影響鍍膜的均勻度及厚度,因此,這類型的鍍膜設備會設置氣體分配裝置,目的是讓氣體均勻送入該反應腔室內,并且防止氣體在送入該反應腔室時產生波動、湍流或者對流漩渦,相關的技術文獻如CN101068950A、CN101624722A、CN101949007A。
但由于目前進行鍍膜加工的基板有大尺寸的趨勢,相配合的氣體分配裝置也需要作配合的改變,才能使氣體分配裝置應用在大尺寸的鍍膜設備上,可以讓大面積的基板在鍍膜時產生較佳的均勻性及厚度控制性,本發明主要針對前述需求作改良。
發明內容
本發明的目的是在提供一種結構創新,并可提高氣體送出時均勻度的鍍膜設備的氣體分配裝置。
本發明鍍膜設備的氣體分配裝置包含:至少一個分配座,以及一個將氣體引入該分配座的進氣單元,該分配座包括至少一個第一分配通道、一個第二分配通道、數條連通該第一分配通道及該第二分配通道的連通管,以及數個和該第二分配通道連通的噴氣道,所述進氣單元包括一個具有一個連接通道的連通座、至少一條連接該連接通道及第一分配通道的導通管,以及一條將氣體引入該連接通道的進氣管。
本發明氣體分配裝置的進氣管具有一個和該連通座連接的直立部、一個水平部,以及一個連接所述直立部及水平部的垂直轉彎部。
本發明氣體分配裝置的第一分配通道是兩個,上述第一分配通道及第二分配通道都是沿著一個第一方向設置,而該進氣管的水平部具有兩個沿著該第一方向設置的第一延伸段、一個沿著一個第二方向設置的第二延伸段,以及兩個連接相鄰的第一延伸段及第二延伸段的水平轉彎段,該第二方向垂直于第一方向。
本發明氣體分配裝置的分配座是兩個,每個分配座都具有兩個第一分配通道,上述第一分配通道及第二分配通道都是沿著第一方向設置,而該連通座是沿著第二方向延伸并跨越所述分配座,該進氣單元的導通管是四條,所述導通管分別連接于該連通座及所述第一分配通道的其中之一。
本發明氣體分配裝置的導通管都具有一個設在該連通座上的第一端,以及一個設在其中一個第一分配通道的中間位置的第二端。
本發明的有益的效果在于:當氣體逐步通過該連接通道、第一分配通道及第二分配通道時,不但可以均勻的分配,還可以避免氣體在送出噴氣道時產生波動、擾流,故本發明該氣體分配裝置不但結構創新,還可以提高供氣時的均勻度。
附圖說明
圖1是本發明氣體分配裝置的一個較佳實施例的立體示意圖;
圖2是該較佳實施例的一個使用狀態參考圖;
圖3是該較佳實施例的一個剖視示意圖;
圖4是該較佳實施例的一個局部前視剖面圖。
具體實施方式
下面結合附圖及實施例對本發明進行詳細說明:
參閱圖1、2,本發明氣體分配裝置10的一個較佳實施例是安裝在鍍膜設備的一個反應腔座上,并且和基板對應,所述反應腔座包括一個反應腔室,該氣體分配裝置10和基板的對應方式不受限制,其包含:兩個間隔并排的分配座2,以及一個連接所述分配座2的進氣單元3。
參閱圖1、3、4,本實施例的每個分配座2都包括兩個沿著一第一方向21設置并且左右并排的第一分配通道22、一個位在所述第一分配通道22下方并且沿著該第一方向21設置的第二分配通道23、數條直向連接第一分配通道22及第二分配通道23的連通管24,以及數個等距離設置并和該第二分配通道23相通的噴氣道25。所述噴氣道25都具有一個位于下方的噴氣口251。
本實施例的進氣單元3可以將氣體同時引入所述并排的分配座2,并包括一個沿著一第二方向30設置并跨越所述分配座2的連通座31、四條分別連接該連通座31及所述第一分配通道22的導通管32,以及一條將氣體送入該連通座31的進氣管33。該第二方向30垂直于第一方向21,該連通座31具有一個界定出一個封閉的連接通道311的連通管壁312,所述導通管32都具有一個架設在該連通管壁312上的第一端321,以及一個架設在所述分配座2的其中之一上并連接于其中一個第一分配通道22中央位置的第二端322,利用前述結構來連通該連接通道311及所述第一分配通道22。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





