[發(fā)明專利]適用于RIE絨面的三明治結構正面介質(zhì)膜及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110217661.6
• 申請日: 2011-07-30
• 公開（公告）號: CN102339871A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發(fā)明（設計）人: 蔡文浩
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種適用于RIE絨面的三明治結構正面介質(zhì)膜，其特征在于：包括底層SiO₂薄膜，所述的底層SiO₂薄膜表面覆蓋有中間層SiN_x薄膜，中間層SiN_x薄膜表面覆蓋有表層SiO₂薄膜。

2.根據(jù)權利要求1所述的適用于RIE絨面的三明治結構正面介質(zhì)膜，其特征在于：所述的中間層SiN_x薄膜和表層SiO₂薄膜的總厚度為100-150nm，其中中間層SiN_x薄膜厚度為50-90nm，所述的底層SiO₂薄膜的厚度為5-20nm。

3.根據(jù)權利要求1所述的適用于RIE絨面的三明治結構正面介質(zhì)膜，其特征在于：所述的底層SiO₂薄膜折射率為1.46，中間層SiN_x薄膜的折射率為2.0-2.3，表層SiO₂薄膜的折射率為1.5-1.8。

4.一種適用于RIE絨面的三明治結構正面介質(zhì)膜的制備方法，其特征在于：具有如下步驟：(1)、晶體硅太陽能電池擴散及去PSG工藝后，用干氧氧化方法在硅片絨面生長一層SiO₂薄膜，氧氣流量為0.5-8slm，氧化溫度為650-900℃，氧化時間為5-50min；(2)、采用PECVD的方法沉積一層富硅的SiN_x薄膜，硅烷和氨氣流量比為1∶3，沉積溫度為350-450℃，射頻功率為3000W，反應壓強為3×10^-2Pa；(3)、采用PECVD的方法沉積一層SiO₂薄膜，硅烷和一氧化二氮流量比為1∶2.5，沉積溫度為300-400℃，射頻功率為1000W。

5.根據(jù)權利要求4所述的適用于RIE絨面的三明治結構正面介質(zhì)膜的制備方法，其特征在于：所述的中間層SiN_x薄膜和表層SiO₂薄膜的總厚度為100-150nm，其中中間層SiN_x薄膜厚度為50-90nm，所述的底層SiO₂薄膜的厚度為5-20nm。

6.根據(jù)權利要求4所述的適用于RIE絨面的三明治結構正面介質(zhì)膜的制備方法，其特征在于：所述的底層SiO₂薄膜折射率為1.46，中間層SiN_x薄膜的折射率為2.0-2.3，表層SiO₂薄膜的折射率為1.5-1.8。