[發明專利]一種低線寬的F-P腔應變量子阱激光器

無效

• 申請號: 201110217210.2
• 申請日: 2011-08-01
• 公開（公告）號: CN102332681A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 李林;張帆;馬曉輝;李占國;高欣;曲鐵;薄報學;劉國軍
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: H01S5/10
• 分類號: H01S5/10;H01S5/343
• 代理公司: 長春科宇專利代理有限責任公司 22001
• 代理人: 馬守忠;宋天平

1.一種低線寬的F-P腔應變量子阱激光器，其構成包括：順次連接的襯底(1)、緩沖層(2)、n型下限制層(3)、下波導層(4)、下勢壘層(5)、有源層(6)、上勢壘層(7)、上波導層(8)、p型上限制層(9)和歐姆接觸層(10)；襯底層(1)的材料為GaAs；緩沖層(2)，厚度為100nm，材料為GaAs，摻入濃度為1×10¹⁸cm^-3的Si雜質；n型下限制層(3)，厚度為1500nm，材料為Al_0.7Ga_0.3As，摻入濃度為1×10¹⁸cm^-3的Si雜質；下波導層(4)，厚度為100nm，材料為Al_0.3Ga_0.7As；下勢壘層(5)，厚度為20nm，材料為GaAs；有源層(6)，厚度為3～5nm，采用In_xGa_1-xAs應變材料，x＝0.33；上勢壘層(7)，厚度為20nm，材料為GaAs；上波導層(8)，厚度為100nm，材料為Al_0.3Ga_0.7As；p型下限制層(9)，厚度為1500nm，材料為Al_0.7Ga_0.3As，摻入濃度為1×10¹⁸cm^-3的Si雜質；歐姆接觸層(10)，厚度為300nm，材料為Al_0.7Ga_0.3As，摻入濃度為1×10¹⁹cm^-3的Be雜質。