[發明專利]太陽能電池硅薄膜制備方法及實現該方法的裝置

有效

• 申請號: 201110216366.9
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號: CN102270704A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 王希軍
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所 22210
• 代理人: 王淑秋

1.一種太陽能電池硅薄膜制備方法，其特征在于：通過水平傳動裝置帶動太陽能電池基板作勻速直線運動，使給粉裝置送出的硅粉均勻覆于基板上；在基板移動過程中，利用高能線激光光束照射基板，使覆于基板表面的硅粉在經過高能線激光光束照射區域時熔融，移出光束區后通過再結晶過程，在基板表面形成硅薄膜。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池硅薄膜制備方法，其特征在于所述高能線激光光束由功率為1000～2000瓦，波長為1064nm的激光器經光束整形、準直和聚焦得到。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池硅薄膜制備方法，其特征在于所述給粉裝置的送分量為40～50克/分鐘，基板移動速度為480～600毫米/分鐘，硅粉涂層寬50毫米；激光器功率為1000～2000瓦，波長為1064nm，高能線激光光束線寬為0.6～0.8毫米，長度與硅粉涂層的寬度相同。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池硅薄膜制備方法，其特征在于給粉裝置的送分量為50克/分鐘，基板移動速度為480毫米/分鐘，硅粉涂層寬50毫米；激光器功率為1000瓦，波長為1064nm，高能線激光光束線寬為0.6mm，長度與硅粉涂層的寬度相同。

5.根據權利要求3所述的太陽能電池硅薄膜制備方法，其特征在于給粉裝置的送分量為40克/分鐘，基板移動速度為500毫米/分鐘，硅粉涂層寬50毫米；激光器功率為2000瓦，波長為1064nm，高能線激光光束線寬為0.8mm，長度與硅粉涂層的寬度相同。

6.一種太陽能電池硅薄膜制備裝置，其特征在于包括基板(2)，水平傳動裝置(1)，給粉裝置(4)，高能線激光光源(5)；所述的基板(2)固定于水平傳動裝置(1)上，給粉裝置(4)和高能線激光光源(5)位于基板(2)的上方；基板(2)在水平傳動裝置(1)的帶動下作直線移動，使給粉裝置(4)送出的硅粉均勻覆于基板(2)上；高能線激光光源(5)發出的線激光光束照射到基板(2)上，使覆于基板(2)表面的硅粉在經過高能線激光光束照射區域時熔融。

7.根據權利要求6所述的太陽能電池硅薄膜制備裝置，其特征在于所述給粉裝置(4)包括恒壓裝置(45)、粉盒(41)及插板(43)；所述粉盒(41)的上部通過氣管(44)接恒壓裝置(45)，粉盒(41)的下部開有長條形給粉孔(42)，給粉孔(42)處安裝可沿垂直于給粉孔長度方向移動的插板(43)。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池硅薄膜制備裝置，其特征在于所述恒壓裝置(45)采用帶有壓力閥的氣泵。