[發明專利]鍺襯底的生長方法以及鍺襯底

有效

• 申請號: 201110215672.0
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號: CN102383192A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 魏星;薛忠營;曹共柏;張峰;張苗;王曦
• 申請（專利權）人: 上海新傲科技股份有限公司;中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: C30B25/02
• 分類號: C30B25/02;C30B29/08
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種鍺襯底的生長方法，其特征在于，包括如下步驟：

?提供支撐襯底，所述支撐襯底為晶體材料；?

在支撐襯底表面采用第一溫度外延生長第一鍺晶體層；?

在第一鍺晶體層表面采用第二溫度外延生長第二鍺晶體層，所述第一溫度低于第二溫度。

2.根據權利要求1所述的鍺襯底的生長方法，其特征在于，多次交替實施生長第一鍺晶體層的步驟和第二鍺晶體層的步驟，獲得第一鍺晶體層和第二鍺晶體層的堆疊結構。

3.根據權利要求1或2所述的鍺襯底的生長方法，其特征在于，在首次生長第一鍺晶體層之前進一步包括如下步驟：?在支撐襯底表面生長緩沖層，緩沖層的材料與支撐襯底的材料相同，后續第一鍺晶體生長于緩沖層的表面。

4.根據權利要求1所述的鍺襯底的生長方法，其特征在于，所述支撐襯底的材料為單晶硅。

5.根據權利要求1所述的鍺襯底的生長方法，其特征在于，所述第一溫度和第二溫度的取值范圍均是200℃至900℃。

6.根據權利要求1所述的鍺襯底的生長方法，其特征在于，在生長第一鍺晶體層之后進一步包括如下步驟：?對第一鍺晶體層實施原位退火。

7.根據權利要求1所述的鍺襯底的生長方法，其特征在于，在生長第二鍺晶體層之后進一步包括如下步驟：?對第二鍺晶體層實施原位退火。

8.根據權利要求6或7所述的鍺襯底的生長方法，其特征在于，所述對第一鍺晶體層和第二鍺晶體層實施原位退火的步驟中，原位退火的溫度范圍是550℃至900℃，退火氣氛為氫氣。

9.根據權利要求7所述的鍺襯底的生長方法，其特征在于，在對第二鍺晶體層實施原位退火之后進一步包括如下步驟：?在第二鍺晶體層表面采用第二溫度外延生長第三鍺晶體層。

10.一種鍺襯底，包括支撐襯底和外延生長于支撐襯底表面的鍺晶體層，所述支撐襯底為晶體材料，其特征在于，所述鍺晶體層至少包括一采用第一溫度外延生長的第一鍺晶體層，和一采用第二溫度外延生長的第二鍺晶體層，所述第一溫度低于第二溫度。