[發明專利]像素結構有效
| 申請號: | 201110215251.8 | 申請日: | 2011-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN102253551A | 公開(公告)日: | 2011-11-23 |
| 發明(設計)人: | 莊詠然;林敬桓;劉竹育 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 張浴月;張志杰 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 | ||
技術領域
本發明涉及一種像素結構,且特別涉及一種可有效驅動藍相液晶分子的像素結構。
背景技術
隨著顯示科技的蓬勃發展,消費大眾對于顯示器顯像品質的要求越來越高。消費大眾除了對顯示器之解析度(resolution)、對比(contrast?ratio)、視角(viewing?angle)、灰階反轉(grey?level?inversion)、色飽和度(color?saturation)有所要求外,對顯示器之反應時間(response?time)之要求也日漸提高。
為了因應消費大眾之需求,顯示器相關業者紛紛投入具有快速應答特性之藍相(blue?phase)液晶顯示器的開發。以正型藍相(blue?phase)液晶材料為例,其需要一橫向電場來進行操作以使其具有光閥之功能。目前已經有人采用共面轉換IPS(In-Plane?Switching)顯示面板或是邊緣電場切換FFS(Fringe?Field?Switching)顯示面板之電極設計來驅動藍相(blue?phase)液晶顯示器中的正型藍相液晶分子。
藍相液晶分子具有較高的介電系數,因而需要以較大的存儲電容來維持顯示畫面的品質。一般而言,存儲電容多以金屬導線作為電容下電極,所以增加存儲電容勢必意味著增加金屬導線的配置面積而限制了顯示開口率。所以,要如何兼具存儲電容以及顯示開口率的大小實為當前的一大課題。
發明內容
本發明提供一種像素結構,可具有理想的存儲電容以及增強的驅動電場。
本發明提出一種像素結構,配置于一基板上,用以驅動一顯示介質。像素結構包括一掃描線、一第一數據線、一第二數據線、一第一有源元件、一第二有源元件、一第一像素電極、一第二像素電極以及一共用電極。第一數據線與第二數據線分別相交于掃描線。第一有源元件電性連接第一數據線。第二有源元件電性連接第二數據線。第一像素電極電性連接于第一有源元件。第二像素電極電性連接于第二有源元件。第一像素電極以及第二像素電極位于第一數據線以及第二數據線之間。共用電極配置于第一像素電極與基板之間且配置于第二像素電極與基板之間。第一像素電極的一第一電壓以及第二像素電極的一第二電壓皆不等于共用電極的一第三電壓。
基于上述,本發明利用交錯配置的第一像素電極與第二像素電極來構成驅動顯示介質所需的驅動電場。因此,驅動電場的大小可以是驅動晶片能夠承受之最大壓差,而有助于增強驅動電場的大小。另外,本發明在第一像素電極與第二像素電極下方利用透明導電材料形成共用電極以使存儲電容增大而有助于維持像素結構的顯示品質。
為讓本發明之上述特征和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作詳細說明如下。
附圖說明
圖1示出為本發明第一實施例的像素結構的上視示意圖。
圖2A至圖2F為本發明第二實施例的的像素結構的制作流程。
圖3示出為圖2F的像素結構沿剖線A-A’的剖面結構。
圖4A至圖4F為本發明第三實施例的的像素結構的制作流程。
圖5示出為圖4F的像素結構沿剖線B-B’的一種剖面結構。
圖6A至圖6F為本發明第四實施例的的像素結構的制作流程。
圖7示出為圖6F的像素結構沿剖線C-C’的一種剖面結構。
其中,附圖標記說明如下:
10:基板
100、100A~100D:像素結構
110:掃描線
120:第一數據線
130:第二數據線
140:第一有源元件
150:第二有源元件
160:第一像素電極
162:第一條狀部
164:第一縱向連接部
166A、166B:第一橫向連接部
170:第二像素電極
172:第二條狀部
174:第二縱向連接部
176:第二橫向連接部
180:共用電極
190:共用線
A-A’、B-B’、C-C’:剖線
C1、C2:溝道層
D1、D2:漏極
G1、G2:柵極
I、II:配向區域
I1、I2、I3:絕緣層
S1、S2:源極
TH1~TH5:接觸窗
具體實施方式
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