[發(fā)明專利]電路載板的散熱結(jié)構(gòu)的成型方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110213260.3
• 申請日: 2011-07-28
• 公開（公告）號: CN102905470A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張謙為;林定皓;陳亞詳;盧德豪
• 申請（專利權(quán)）人: 景碩科技股份有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00;H05K3/24
• 代理公司: 北京華夏博通專利事務(wù)所(普通合伙) 11264
• 代理人: 劉俊

1.一種電路載板的散熱結(jié)構(gòu)的成型方法，其特征在于，該成型方法包含：

一基板準備步驟，準備一電路基板；

一鉆孔步驟，在該電路基板的表層形成多個開口，而在所述開口中暴露出該電路基板中的至少一內(nèi)部銅層，所述開口包含至少一第一開口以及至少一第二開口，該至少一第一開口小于該至少一第二開口，而該至少一第二開口大于或等于150x?100um²；

一第一鍍銅步驟，形成至少一第一鍍銅層在該電路基板的表面，該第一鍍銅層填滿該至少一第一開口，但未填滿該至少一第二開口，而使填入各該第二開口的該第一鍍銅層具有一凹陷處；

一阻隔層形成步驟，是該第一鍍銅層上形成一阻隔層，

一阻隔層去除步驟，移除除了在該凹陷處上的該阻隔層；

一鍍鎳及化學(xué)移除步驟，是在該第一鍍銅層及在該凹陷處上的該阻隔層上形成一鍍鎳層，再以化學(xué)方式移除該凹陷處上的該阻隔層及該阻隔層上的部分鍍鎳層，使在該凹陷處沒有該鍍鎳層；

一第二鍍銅步驟，在該鍍鎳層及具有該凹陷處的該第一鍍銅層的表面形成一第二鍍銅層，使該第二孔洞中的第一鍍銅層及第二鍍銅層的總高度高于在該第一孔洞中第一鍍銅層的高度，在第二孔洞中該第二鍍銅層具有一第二凹陷處；

一防蝕層形成步驟，是在該第二凹陷處填入一防蝕刻材料；

一蝕刻步驟，是以化學(xué)方式去除除了被防蝕刻材料遮蔽的第二鍍銅層；

一第二蝕刻及減薄步驟，是以研磨方式將該鍍鎳層、該防蝕刻材料去除，并使填入在所述第二孔洞中的該第二鍍銅層形成與該第一鍍銅層相同的高度；

一干膜形成步驟，是在該第一鍍銅層與該第二鍍銅層的表面形成圖案化的一干膜；以及

一散熱結(jié)構(gòu)形成步驟，蝕刻并移除將該干膜移除，而形成具有多個第一銅凸塊、多個第二銅凸塊以及多個銅墊的一散熱結(jié)構(gòu)層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進一步在該第二蝕刻及減薄步驟減薄該第一鍍銅層的高度。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該散熱結(jié)構(gòu)層與該內(nèi)部銅層電氣連接。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該電路基板包含：

一第一基板；

二第二電路基板，分別位于該第一基板的上下兩側(cè)；

二該內(nèi)部銅層位于該第一基板與該第二基板之間；以及

二外部銅層位于該第二基板的外表面。