[發明專利]內置絕緣柵雙極晶體管的半導體裝置

有效

• 申請號: 201110213248.2
• 申請日: 2009-08-26
• 公開（公告）號: CN102280450A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 寺島知秀
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/07
• 分類號: H01L27/07;H01L27/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;王忠忠

1.?一種半導體裝置（50），其中，

具有：半導體襯底（SUB）；第一導電型的第一半導體區域（10），形成在所述半導體襯底內；第一導電型的MOS晶體管（PQ），形成在所述半導體襯底表面，

所述第一導電型的MOS晶體管包括：柵電極（21）；源電極（23）；漏電極（24）；第二導電型的第二半導體區域（12a），利用所述柵電極和所述源電極的電位差形成溝道，并且，形成在所述第一半導體區域內，且與所述漏電極電連接；第一導電型的第三半導體區域（19a），形成在所述第二半導體區域內，并且，與所述源電極電連接；第一導電型的第四半導體區域（19b），形成在所述第二半導體區域內，并且，與所述漏電極電連接，

該半導體裝置（50）還具有：

第二導電型的第五半導體區域（12b、25），形成在所述第一半導體區域內，并且，隔著所述第一半導體區域與所述第二半導體區域對置，并且與所述柵電極電連接；

電極（27），經由絕緣膜形成在被所述第二半導體區域和所述第五半導體區域夾持的所述第一半導體區域上，并且，與所述柵電極電連接。

2.如權利要求1所述的半導體裝置（50），其中，還具有：

雙極晶體管（BT），包括：第一導通節點（3），與所述第一導電型的MOS晶體管（PQ）的所述源電極（23）電連接；第二導通節點，與電極節點（4）連接；基極節點（5），與所述第一導電型的MOS晶體管的所述漏電極（24）電連接；

第二導電型的MOS晶體管（NQ），連接在所述電極節點和所述雙極晶體管的所述基極節點（5）之間，根據控制信號有選擇地導通，在導通時，將所述電極節點和所述雙極晶體管的所述基極節點電連接；

PN結二極管（Di），具有：陰極，與所述第一導電型的MOS晶體管的柵電極（21）電連接；陽極，與所述電極節點電連接。

3.一種半導體裝置（50），其中，

具有：半導體襯底（SUB）；第一導電型的第一半導體區域（10、30），形成在所述半導體襯底內；第一導電型的MOS晶體管（PQ），形成在所述半導體襯底表面，

所述第一導電型的MOS晶體管包括：柵電極（21）；源電極（23）；漏電極（24）；第二導電型的第二半導體區域（12a），利用所述柵電極和所述源電極的電位差形成溝道，并且，形成在所述第一半導體區域內，并且與所述漏電極電連接；第一導電型的第三半導體區域（19a），形成在所述第二半導體區域內，并且，與所述源電極電連接；第一導電型的第四半導體區域（19b），形成在所述第二半導體區域內，并且與所述漏電極電連接，

該半導體裝置（50）還具有：第二導電型的第五半導體區域（12b、25），形成在所述第一半導體區域內，并且隔著所述第一半導體區域與所述第二半導體區域對置，并且與所述柵電極電連接，

所述第一半導體區域包括：高濃度區域（30），形成在被所述第二半導體區域和所述第五半導體區域夾持的所述半導體襯底表面；低濃度區域（10），第一導電型的雜質濃度比所述高濃度區域低。

4.如權利要求3所述的半導體裝置（50），其中，還具有：

雙極晶體管（BT），包括：第一導通節點（3），與所述第一導電型的MOS晶體管（PQ）的所述源電極（23）電連接；第二導通節點，與電極節點（4）連接；基極節點（5），與所述第一導電型的MOS晶體管的所述漏電極（24）電連接；

第二導電型的MOS晶體管（NQ），連接在所述電極節點和所述雙極晶體管的所述基極節點（5）之間，根據控制信號有選擇地導通，在導通時，將所述電極節點和所述雙極晶體管的所述基極節點電連接；

PN結二極管（Di），具有：陰極，與所述第一導電型的MOS晶體管的柵電極（21）電連接；陽極，與所述電極節點電連接。